掺Sn的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的光学性质.pdfVIP

维普资讯 第 24卷 第 6期 光 学 学 报 VoI24．NO．6 2004年 6月 ACTA ()PTICA SINICA Jlane，2004 文章编号 ：0253—2239(2004)06—735—4 掺 sn的Ge：sb：Te相变存储薄膜 的光学性质 颢西朋 蕞立枉 赵岩淳 黄瑞安 (中国科学院上海光学精密机械研究所 ．上海 201800) 摘要： 提高存储密睦和存取速率一直是光存储发展的方向．这对 t4前用于可擦重写存储的相 变材料提 出了越来 越多的要求：它们既要对短波 长有足够的响应 ．同时其 拥变速 度也越 越虾 脚此．相变材料 陛能 的改进 t·舟重 要 ·掺杂是提高相变材料性能的重要手段之 一 用直流溅射法制酱