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LED知識講解目錄 LED涵義 晶片基本知識 晶片的結構( I ) 晶片的結構( II ) 晶片發光原理 工作原理圖( I ) 工作原理圖( II ) 晶片的材料及其發光顏色 LED發光效率的演化 LED重要光電性能指標 LED重要光電性能指標(一) LED重要光電性能指標(二) LED重要光電性能指標(三) 6.△λ光譜寬度,晶片的發光為雜色光,它是由不同頻率的電 磁波組合而成,組成光線的最小頻率電磁波與最大頻率電 磁波之間的距離稱為光譜寬度. LED重要光電性能指標(三) 光電特性圖解 The end. Thank you! * * LED涵義 LED晶片基本知識 LED重要光電性能指標 LED光電特性圖解 Light Emitting Diode 簡稱LED 中文譯: 發光二極體(台灣地區) 發光二極管(大陸地區) 是一種依靠半導體PN結發光的光電元件,就LED LAMP而言,它由電子元件和封裝繫統組成,相應的,其基本原物組成可分為電子元件材料,封裝材料,輔助材料三大類. 電子元件材料包括晶片,金線,支架,銀膠,正是由這些材料聯結成一個發光的閉路電子元件 晶片的結構 晶片的發光原理 電極分上電極及下電極 材料部份有Al及Au 依P型層及N型層的位置, 分為兩種: P型層在上, 則為P-type N型層在上, 則為N-type 基層一般為GaAs, GaP,…等 四大結構: P型層, N型層, 基層(Substrate)與電極 一般基層(Substrate)的材料, 如GaAs, 有吸收光之特性, 稱為AS type, 將造成發光效率變差, 解決此問題的方法, 目前有兩種: 磨除基層 更換基層為 TS type SRDRUR P層半導體元素與N層半導體元素由於電子移動而重新 排列組合,形成PN結合層,從而使之處於相對穩定的狀態;但一 旦在外力作用下,施加正向電极,N區自由電子即向P區運動,P 區的空穴源源不斷地游向N區,在電子空穴作定向移的同時,電 子空穴互相結對,激發出光子,產生光能. LED的符號 P層與N層之接合狀況 LED之通電狀況 P極接正電, N極接負電, 則LED發光; 反之, 則不發光 VF順向電壓 IV光強 反向電流 主波長 峰值波長 光譜寬度(半波寬度) 發光效率 光強分布(發光視角) 1. VF順向電壓, 執行LED亮燈之電流對應二极體的電壓 值,有電流產生,自由電子作定向移動,存在電位差產生電 壓降. 2. IV光強, LED點亮時所能觀測到的亮度值,單位cd(candela), lcd=1000mcd 3. Ir 反向電流, 在限定條件下反向漏電流,為二极體的基本特 性, Ir 越小越好,產生原因為電子的規則移動 4.λd主波長,發光體大部分電磁波的發射距離 5.λP峰值波長,LED晶片發光為雜色光, 其所發出的最遠的 波的發射距離. 7.晶片發光效率是衡量晶片將電能轉化為光能的能力的一個重要 指標。 ? F: 光通量﹐單位為lm η:發光效率﹐單位為lm/w 8.光強分布(發光視角) LED發光強度是表征它在某個方向上的發光強弱﹐由于LED在 不同的空間角度光強相差很多﹐所以LED的光強分布特性.這個參 數實際意義很大﹐直接影響到LED顯示裝置的最小觀察角度。 η=F/(Vf*If)
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