课程设计 单相桥式整流电路设计.docVIP

目 录【1】 1．目录…………………………………………………………………1 2.引言…………………………………………………………………2 3.设计思想 …………………………………………………………2 4.设计方案 …………………………………………………………3 5.单元电路设计………………………………………………………4 5.1单结晶体管的工作原理 ……………………………………4 5.2主要元器件的选择与说明…………………………………6 5.3触发电路的设计与说明……………………………………9 5.4整流电路的设计与技术要求………………………………11 6．调试………………………………………………………………12 7.设计总结 …………………………………………………………13 8.元器件清单 ………………………………………………………14 致谢 …………………………………………………………………14 参考文献 ……………………………………………………………14 概要：讲述单相全控桥式晶闸管整流电路的工作原理，触法电路的设计，单结晶体管的使用，以及使用单结晶体管设计触发电路时需注意的一些问题。 关键字：单结晶体管，触发电路，阻感负载，整流电路 2.引言 随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。但是晶杂管相控整流电路中随着触发角α的增大，电流中谐波分量相应增大，因此功率因素很低。把逆变电路中的SPWM控制技术用于整流电路，就构成了PWM整流电路。通过对PWM整流电路的适当控制，可以使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因素近似为1。这种整流电路称为高功率因素整流器，它具有广泛的应用前景 由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学好这门课就必须做好实验和课程设计，因而我们进行了此次课程设计。又因为整流电路应用非常广泛，而锯齿波移相触发三相晶闸管全控整流电路又有利于夯实基础，故我们单结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。 3.设计思想 研究单相全控桥式整流电路的工作原理并进行分析，设计出具有稳定脉冲的触发电路并进行仿真。设计的电路要满足输出500W，电源100V，50HZ等条件。 综合运用相关课程中所学到的专业理论知识去独立完成设计课题，通过查阅手册和相关文献资料进一步熟悉所用芯片和电子器件的类型及特性，学会电路的仿真与调试，进一步熟悉仿真软件的正确使用，学会撰写课程设计的总结报告。 4. 设计方案 图4.1 当负载由电阻和电感组成时称为阻感性负载。例如各种电机的励磁绕组,整流输出端接有平波电抗器的负载等等。单相桥式整流电路带阻感性负载的电路如图所示。由于电感储能,而且储能不能突变因此电感中的电流不能突变,即电感具有阻碍电流变化的作用。当流过电感中的电流变化时,在电感两端将产生感应电动势,引起电压降=== （3.5.1） 2)纹波系数 纹波系数用来表示直流输出电压中相对纹波电压的大小，即 5.单元电路设计 5.1 单结晶体管的工作原理 单结晶体管原理单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构，符号和等效电如图5.1所示。 图5.1 5.1.1单结晶体管的特性从图可以看出，两基极b1和b2之间的电阻称为基极电阻。 Rbb=rb1+rb2 式中：Rb1——第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。 若在两面三刀基极b2，b1间加上正电压Vbb，则A点电压为： VA=[rb1/（rb1+rb2）]vbb=（rb1/rbb）vbb=ηVbb 式中：η称为分压比，其值一般在0.3—0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图：①基极间电阻Rbb发射极开路时，基极b1，b2之间的电阻，一般为2-10千欧，其数值随温度的上升而增大。 ②分压比η由管子内部结构决定的参数，一般为0.3--0.85。 ③eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 ④反向电流Ieo b1开