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 - 2017-09-03 发布于四川
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                    正版发售
 
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 - 正在执行有效期
 - | 2008-07-02 颁布
 - | 2009-04-01 实施
 
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ICS27.120 
F88 
                                                  a亘 
 中华人民共和国国家标准 
                                                            7167—2008 
                                                      GB/T 
                                                      代替GB/
              锗丫射线探测器测试方法 
             Test          for                      detectors 
                                         gamma—ray 
                 proceduresgermanium 
                          (IEC 
                              60973:1989,NEQ) 
                                                          2009—04—0 
2008—07—02发布                                                       1实施 
          宰瞀戳鬻瓣訾矬瞥星发布中国国家标准化管理委员会仪1” 
                                                               7167—2008 
                                                          GB/T 
                               前      言 
   本标准对应于IEC60973:1989《锗7射线探测器测试方法》,与IEC60973:1989一致性程度为非 
等效。 
   本标准代替GB/T7167--1996《锗7射线探测器测试方法》。 
   本标准与GB/T7167—1996相比主要变化如下: 
   ——修改了术语和定义中能量分辨力和探测器窗厚度等部分(见本标准3.16、3.17、3.25); 
   ——删除了锗探测器分类部分(见原标准第3章); 
   ——修改了探测效率部分(见本标准第6章)。 
   本标准由中国核工业集团公司提出。 
   本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。 
   本标准起草单位:中国原子能科学研究院。 
   本标准主要起草人:袁大庆,魏可新。 
                                      7167 
   本标准所代替标准的历次版本发布情况为:GB/T                 1987、GB/T7167—1996。 
                                                                7167—2008 
                                                           GB/T 
                       锗丫射线探测器测试方法 
 1范围 
    本标准规定了锗7射线探测器的性能测试方法。 
    本标准适用于高纯锗7射线探测器的性能测试,也适用于高纯锗x射线探测器和锗(锂)探测器的 
性能测试。 
2规范性引用文件 
    下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有 
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 
   JJG578—1994锗7谱仪体源活度测量装置检定规程 
   JJG752—1991锗7谱仪活度标准装置检定规程 
3术语和定义 
   下列术语和定义适用于本标准。 
3.1 
    高纯锗high-purltygermanium(HPGe) 
    在室温下,电活性杂质净浓度稳定的锗单晶,杂质净浓度典型值小于3×10”cm。在适当的偏压 
下,由常规尺寸高纯锗单晶制成的探测器可达到全耗尽。 
3.2 
                         semicond
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