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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 3 (2011) 037808
*
4H-SiC 中基面位错发光特性研究
苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门
( ， ， 7 1007 1)
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安
(20 10 5 27 ;20 10 6 18 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
(CL) 4 H-SiC .
本文利用阴极荧光 和选择性刻蚀的方法对 同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究 结
(B ) (B ) ， 530 nm
果表明螺型基面位错 T SD 和混合型基面位错 M D 分别具有绿光和蓝绿光特性 其发光峰分别在 附近和
480 nm . B B ， B
附近 从测试结果中还发现 M D 的发光位较 T SD 有所蓝移 分析认为 T SD 位错芯附近原子沿伯格斯矢量方
， ， B ，
向只受到拉应力 致使禁带宽度变窄 而 M D 同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量 正是刃型位错中部分原
， ， B B .
子受到压应力的作用 导致禁带宽度增宽 从而使得 M D 的发光波长比 T SD 短
:4 H-SiC ， ， ，
关键词 基面位错 发光特性 禁带宽度
PACS :78 . 60 . Hk ，6 1. 72 . Lk ，8 1. 10 . Gh
， X
射线形貌术尽管可以观测位错分布 然而由于 射
，
1. 引 言 线通常使用透射模式 缺陷的分布很多是交叠在一
， .
起 对缺陷的分析带来一定困难 利用选择性刻蚀
SiC 、 、
具有带隙宽 热导率高 电子饱和漂移速率 ，
可以清晰地揭示位错形貌 因此本文利用阴极荧光
、 ，
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