NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 21 (2012) 218501 NMOS 器器器件件件中中中单单单粒粒粒子子子瞬瞬瞬态态态电电电流流流收收收集集集机机机制制制 的的的二二二维维维数数数值值值分分分析析析* 卓青青 刘红侠 郝跃 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 ) ( 2012 年1 月7 日收到; 2012 年5 月22 日收到修改稿) 通过二维数值模拟, 深入分析了NMOSFET 在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应. 研 究结果表明: 漏极偏置电压越高, 栅长度越短, 器件的单粒子瞬态电流越大, 收集电荷越多. 通过研究不同注入位置 情况下的单粒子效应表明: 单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化. 研究结果为设计 抗单粒子器件提供了重要指导. 关键词: 单粒子瞬态脉冲