氮化铝粉体制备研究及展望.pdfVIP

第31 卷第4 期 《陶瓷学报》 Vol. 31, No. 4 2010 年12 月 JOURNAL OF CERAMICS Dec. 2010 文章编号：1000- 2278（2010）04- 0651- 07 氮化铝粉体制备的研究及展望 杨清华 王焕平 徐时清 (中国计量学院材料科学与工程学院，浙江杭州310018) 摘 要 氮化铝陶瓷具有高的热导率、良好的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗，以及与硅相匹配的热膨胀系数，是现今最为理想的 基板材料和电子器件封装材料。氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高质量，因此，高质量氮化铝粉体的制备是获得性能优良氮 化铝陶瓷的关键。本文综述了氮化铝粉体制备技术的研究进展，并对其未来发展方向进行了展望。 关键词氮化铝，粉体制备，基板材料 中图分类号：TQ174.75 文献标识码：A 的化学稳定性和环保无毒等优点，已成为当今最为理 [1- 4] 1 引 言 想的基板材料和电子器件封装材料 。 氮化铝陶瓷的优良性能与其原始粉体的纯度有 着直接的关系。氮化铝粉体中杂质的存在将对陶瓷 氮化铝是一种综合性能优良的陶瓷材料，对其研 的热导率产生负面影响，氮化铝的导热机制是声子传 究可以追溯到一百多年前，但当时仅将其作为一种固 导，晶格的缺陷、气孔和杂质都会对声子产生散射，从 氮剂用作化肥。由于氮化铝是共价化合物，自扩散系 而降低氮化铝陶瓷的热导率。特别是O 原子固溶入 数小，熔点高，导致其难以烧结；直到20 世纪50 年 氮化铝晶格，占据N 原子的位置，产生Al 空位，形成 代，人们才首次成功制得氮化铝陶瓷，并作为耐火材 强烈的声子- 缺陷散射，使氮化铝陶瓷的热导率急 料应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。 自20 世纪70 剧下降；当氮化铝陶瓷中氧含量为0.12 wt%时，其热 年代以来，随着研究的不断深入，氮化铝的制备工艺 导率降至185 W/ (moK)，当氧含量上升到0.31 wt% 日趋成熟，其应用范围也不断扩大。尤其是进入21 时，其热导率下降到130 W/(moK)[5]。杂质的存在还将 世纪以来，随着微电子技术的飞速发展，电子整机和 对陶瓷的绝缘性能产生严重影响，Kurameto 等的研 电子元器件正朝微型化、轻型化、集成化，以及高可靠 究发现，当氮化铝粉体中的Si、Fe、Mg 等元素含量超 性和大功率输出等方向发展，越来越复杂的器件对基 - 4 [6] 过2×10 时，陶瓷