硅基氧化锌纳米薄膜异质结构电致发光性能研究.pdfVIP

硅基氧化锌纳米薄膜异质结构的电致发光 性能研究# 孙晓绮，廛宇飞，张常兴，许海军** 5 （北京化工大学理学院，北京 100029） 摘要：通过在 P 型纳米多孔硅柱状阵列（NSPA ）衬底上生长N 型氧化锌薄膜，从而得到 ZnO/NSPA 的纳米异质结阵列。由伏安特性曲线（J-V ）可以看出，纳米异质结在起始电压 为 1.5 V 时呈现良好的整流特性：正向电流密度约为28.7 mA/cm2 (2.5 V) ，漏电流密度约为 2 0.15 mA/cm ，其整流率约为 121 （±2.5 V ），并且纳米异质结中的电子转移特性遵循陷阱电 10 荷限制电流模型（TCLC ）。此外基于ZnO/NSPA 的发光二极管实现了强的白光发射，其为 以后新型