2.4GHz+ISM频段无线接收机前端SiGe+BiCMOS工艺LNA设计.pdf

摘要 Si在微电子技术中占据着主导地位，但是由于其载流子的迁移率和饱和漂移 速度较低，而且具有问接跃迁能带结构，限制了它在若干方面的应用。与标准的 CMOS技术相比，SiGeBiCMOS技术在低噪声、高功率放大电路中可以提供优 良的性能，并且还较容易集成。SiGe 能同时满足射频系统性能以及低功耗的要求。 SiGe HBT器件是SiGeBiCMOS技术中的关键部分。随着发射极条宽的不 断减小，器件的最高截止频率不断提高，为综合优化器件其他方面的性能提供了 自由度。可以通过采用更小特征尺寸，在保持最高截止频率不变的情况下，降低 器件的功耗。同样可以优化的参数还有．‰、噪声性能和击穿特性。 本文首先分析SiGeHBT工艺特性对器件参数的影响，随后介绍了共射极、 SiGeBiCMOS 共基极结构晶体管的噪声理论。基于IBM 7WL工艺，借助Cadence 软件平台研究并设计了射频Ii{f端低噪声放大器电路，完成了版图设计后仿真及测 试相关工作，取得成果如下： 1．研究分析了SiGeBiCMOS的工艺特性及其市场应用前景，针对无线通信 系统中的2．4GHz频段，对其射频前端接收电路进行设计。 2．提出了一种精简结构的2．4GHz低噪声放大器，采用发射极电感负反馈 cascade结构，通过电容反馈提高了线性度指标，输入输出匹配通过无源LC谐 振网络实现。电路工作电源电压为2．5V，仿真结果表明，噪声系数小于2．4dB， ISM频段无线接收机射频前 ．16dBm。设计满足了系统指标要求，适用于2．4GHz 端。 IBMSiGeBiCMOS俐L工艺库进行设计并流片，基于 3．采用0．18／tin Cascode 压缩点优于．15dBm，与后仿真结果较为吻合。 BiCMOS、低噪声放大器、射频 关键字：无线接收机、SiGe 市科委基金项目(09700713800)的资助。 Abstract The silicon inmicroelectronicsareconstraineditswide dominatingtechnology duetolowca!Tier andsaturateddrift worsethe applications mobility velocity,what’S indirect bandtransition tostandardCMOS energy structure．Compared technology, SiGeBiCMOS winsat inalow technologyprovidinghighperformancenoise，large circuitsand morefacilitatedin powerdissipation being integration． amplifying SiGeBiCMOScombines of that the andCMOS Bipolar advantages technology meets RF the