抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响.pdfVIP

2009年 12月 金刚石与磨料磨具工程 Dec．2009 第 6期 总第 174期 Diamond AbrasivesEngineering No．6 Seria1．174 文章编号：1006—852X(2009)06—0019—05 抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片 化学机械抛光的影响 王 科 康仁科 王 军 (1．大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连 116024) (2．SchoolofMechanicalandManufacturingEngineering，UniversityofNewSouthWales， SydneyNSW2052，Australia) 摘要 采用扫描 电子显微镜和高分辨粒径分析仪对不同抛光液中磨料形貌 、平均粒径大小和粒径分布 范围进行观测分析，研究了SiO，磨料特性及各种无机酸对单晶MgO基片抛光材料去除率和表面粗糙度 的影响。试验结果表明，使用粒径分布较窄的球形磨料和磷酸反应剂配制成抛光液，可以得到较高的材 料去除率和较低的基片表面粗糙度。通过对抛光参数的进一步优化，采用抛光压力42kPa，抛光转数 100r／min和抛光液流量30mL／min，对单晶MgO基片进行化学机械抛光加工，单晶MgO基片抛光材料 去除率可达到400nm／min，抛光后的基片表面粗糙度 降低至0．4nm。该抛光工艺 已具有一定的实 用价值 。 关键词 单晶MgO基片；化学机械抛光；材料去除率 中图分类号 TN304．2：TG74 文献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2009．06．005 Influenceofabrasiveand chem icalcomposition on chemo-mechanical polishingofM gO singlecrystalsubstrate WangKe KangRenke WangJun (1．KeyLaboratoryforPrecisionandNon—traditionalMachiningofMinistryEducation， DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China) (2．SchoolofMechanicalandManufacturingEngineering，UniversityofNewSouthWales， d yNSW2052 Australia) Abstract Basedon theexamination andanalysisofthemorphologyandmean sizeofabrasivesaswellas abrasivesizedistributionbyscanningelectronmicroscope(SEM)andhighresolutionparticleanalyzer，the influenceoftheabrasivesandchemicalcompositionsonthematerialremovalrateandsurfaceroughnessduring chemo—mechanicalpolishingofMgO singlecrystalsubstratewasstudied．Theresultsshowedthathighmaterial removalrateandbettersurfaceroughnesscouldbeachievedwiththeslurrycontainingphosphorousacid