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集成霍尔传感器的发展　白韶红 集成霍尔传感器的发展 Development of Integrated Hall Transducer 白韶红 (北京市城市建设工程研究院, 北京　100029) 摘　要　首先总结了100 年来霍尔效应应用的三个阶段, 然后介绍各种集成霍尔元件、集成霍尔传感器的原理、结构、特性和应用, 最后论 及到当前新型的量子、等离子霍尔传感器。对霍尔传感器的发展趋势和特点进行了总结。 关键词　霍尔传感器　集成传感器　霍尔效应　发展动向　 Abstract　Firstly, the three phases of applicationof Halleffect in 100yearsare summarized.Then, the principle, structure,feature and application of variousin- tegratedHall elementsandHall transducers are introduced.Finally, the latest new quantum andplasma Hall transducers areexpounded.The developing trendand features of Hall transducersare also summarized. Key　words　Hall transducer　Integrated transducer　Hall effect　 eveloping trend 1　概述 2　各种集成霍尔元件 100 年来,霍尔效应的应用经历了三个阶段: 2.1　霍尔效应简述 第一阶段是从霍尔效应的发现到20 世纪40年代 如图1所示,如果将一块载流导电板放入垂直于 前期。最初, 由于金属材料中的电子浓度很大,而霍尔 它的磁场中, 当有电流通过导电板时,将在它的上、下 效应十分微弱, 所以没有引起人们的重视。这段时期 两侧产生一个电位差。实验发现, 在磁场不太强的情 况下, 该电位差 V 与电流强渡I 和磁感应B 成正比, 也有人利用霍尔效应制成磁场传感器, 但实用价值不 H 大,到了1910 年有人用金属铋制成霍尔元件, 作为磁 与导电板的厚度d 成反比, 即 V =k (I ·B /d ) 场传感器。但是, 由于当时未找到更合适的材料, 研究 H 式中:V 为霍尔电势或电压;k 为霍尔(灵敏度)系数, 处于停顿状态。 H 第二阶段是从20世纪40年代中期半导体技术出 V/AT。霍尔电势形成的机理是, 带电粒子在磁场中 现之后, 随着半导体材料、制造工艺和技术的应用, 出 运动时, 将受到洛伦兹力的作用, 使带电粒子发生偏 现了各种半导体霍尔元件,特别是锗的采用推动了霍 转, 产生一个垂直于其运动方向的电动势, 即霍尔电 尔元件的发展, 相继出现了采用分立霍尔元件制造的 势。 　　 各种磁场传感器、磁罗盘、磁头、电流传感器、非接触开 关、接近开关、位置、角度、速度、加速度传感器、压力变 送器、无刷直流电机以及各种函数发生器、运算器等, 应用十分广泛。 第三阶段是自20 世纪60 年代开始, 随着集成电 路技术的发展, 出现了将霍尔半导体元件和相关的信 号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入20 世纪 80 年代, 随着大规模超大规模集成电路和微机械加工