层状钙钛矿型Bi-%2c3.15-Nd-%2c0.85-Ti-%2c3-O-%2c12-铁电薄膜的择优取向生长和电学特性研究.pdfVIP

摘 要 线极鹚依算翦者中《104谈锨4)取两燕粒的体积分数约为65％，蓐者中c辕取向鑫 耱瓣{搴积分数为50％。弧；M躐察表明，◇14狻i04)掭傀敬藏薄貘中鑫薤呈挂状 晶擞长，晶粒面内尺寸约1∞一200nm：c轴择优取囱黼粒则呈等轴晶生长，晶 粒赢径在50．150 熊源于在高升温速率下热应力的快速增加调整了界面能。此外，我们还发现减少 薄膜单层结晶厚度有利于提高(104)“014)取向晶粒的体积分数。这是因为在薄的 络蕊零层内部晶粒成核受到拯剁，促进了沿薄膜厚度方懿鲍晶粒连续生长。 ◇l霹狻10◇择铙取彝薄貘(：i蠹撑辘)较◇e1)麓致囊薄骥鸯黧撬楚懿毫学缝能：藕余 pmⅣ， 如3(0011=5pm／v。这些结果表明BNdT薄膜的自发极化乡毛爨熙的大部分分量平行 于辟轴。 优取向；Nb掺杂的sfTi。3(1l∞树底上皋l备的BNdT薄膜为瀑帮取蠢，薄膜中包 戆；鼬辘取鑫、≤119≥取蠢穰涎蔽取囊戆鑫粒。藏考2鼓一8．O弘隗0；惹者2鼓 一26．2“e／cm2。这一结果也表明禽有更多非c轴取向晶粮的薄膜有更优良的电学 口肋轴取向和(119)取向以及隧【机取向。薄膜有较大的剩余极化值珥=39．3 “C，cm2。 关键词：Bi315N如85∞3012，铁电薄膜，取向生长，整微结构，电学性能 A套sll镰c￡ o￡twodi簌打enl o蠢ent采ionswere lhin嗣ms Bb，15NdfL8sT{3012(BNdD pfefeffed on throu酵asol—gel 舒ownstandard—type(n1)PI厂r洒io瞒i(100)substratesprocess。 1瓢e filmswasest油aIedto volume仃actjon be of(104)／(014)-0riemed豁ains抽the at)out65％a11d50％ofc．a菇sorientation totheir grainsaccordiIlgx-mypolcfigures． The6lms coIlsistof ofabout 100-200 wnh(104)／(014)oficmationcolumnar班ains in nm lateral 1attercontain 6ne of50-150nmin sizc，where勰the equiaxcdgrains diametet1he nuckationof PtelectlDdc pre向。red the(104)／(014)-or’cntedgrai璐on is duetothc incfcaseofthcr热a1 fate，which pmbably fapid st辩ss采highheating m瓣l№di母蛙臻纽捃f珞c。ene毽yI酶b采∞如u嬲￡h越usinga疆血si矗gie—a粒ca据d lhe 姆茹ris纛Vo曲le耋o羚鑫sevol珏撼e蠡ac濑挂of t沁(1澄)静王◇．。纛e箍led磐酗． 拍e聪cleat主onis蠢stu