03半导体中载流子的统计分布.pptVIP

什么是载流子？ §3.1 允许的量子态按能量的分布——状态密度 则导带底（附近）状态密度为： 2. 实际半导体材料的状态密度 费米函数的特性 能量E比EF高5k0T的量子态被电子占据几率0.7%；而能量比EF低5k0T的量子态被占据几率高达99.3%。 如果温度不很高，那么EF ±5k0T的范围就很小，这样费米能级 EF就成为量子态是否被电子占据的分界线： 1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的 2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的 3) 能量等于费米能级的量子态被电子占据几率1/2 EF的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。EF越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据，从物理意义上来讲也就是系统的化学势越高。 费米分布函数中，若E-EFk0T，则分母中的1可以忽略，此时 上式就是电子的玻耳兹曼分布函数。 1-f(E)是能量为E的量子态不被占据的概率，也就是量子态被空穴占据的概率： 同理，当EF-Ek0T时，上式转化为下面的空穴玻耳兹曼分布 半导体中常见的是费米能级EF位于禁带之中，满足 Ec-EFk0T或EF-Evk0T的条件。 因此对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，即起作用的载流子都在能带极值附近。 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体；而将服从费米统计分布规律的半导体称简并半导体。 复习与总结 热平衡的概念——温度一定载流子浓度恒定 计算一定温度下载流子的浓度(载流子在价带和导带能级的分布情况)： 允许载流子占据的量子态按能量的分布——状态密度 电子在允许的量子态中如何分布——载流子的统计分布函数 费米分布函数及其特点 波尔兹曼分布函数 3、半导体中导带电子和价带空穴浓度 导带底附近能量E →E+dE区间有dZ(E)=gc(E)dE个量子态，而电子占据能量为E的量子态几率为f(E)，对非简并半导体，该能量区间单位体积内的电子数即电子浓度n0为： 对上式从导带底Ec到导带顶Ec‘ 积分，得到平衡态非简并半导体导带电子浓度 3、载流子浓度乘积n0p0 将n0和p0相乘，代入k0和h值并引入电子惯性质量m0，得到 平衡态非简并半导体n0p0积与EF无关； 对确定半导体，mn*、mp*和Eg确定，n0p0积只与温度有关，与是否掺杂及杂质多少无关； 一定温度下，材料不同则 mn*、mp*和Eg各不相同，其n0p0积也不相同。 温度一定时，对确定的非简并半导体n0p0积恒定； 热平衡态非简并半导体不论掺杂与否，上式都适用。 上式的第二项与温度和材料有关。室温下常用半导体第二项的值比第一项(Ec+Ev)/2(约0.5eV)小得多，因此本征费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处。 本征载流子浓度n0=p0=ni： 总结： 任何平衡态非简并半导体载流子浓度积n0p0等于本征载流子浓度ni的平方； 对确定半导体，受式Nc和Nv、指数项exp(-Eg/2k0T)影响，本征载流子浓度ni随温度升高显著上升。 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 杂质的浓度——工艺控制参数 杂质的电离度——如何确定？ 1、低温杂质离化区 特征：本征激发可以忽略， p0≌0 导带电子主要由电离杂质提供。 弱电离区 EF ~ T 的关系： 本征激发仍略去，但随温度T增加，nD+足够大，故电中性方程： 强、弱电离的区分： 判定施主杂质达到饱和电离的方法： 决定半导体杂质饱和电离(nD+≧90%ND)的因素： 1、杂质电离能——△ED=EC-ED 2、杂质的浓度——温度一定时有上限 3、温 度——浓度一定时有下限 电中性条件：n0=ND+p0 例 题 硅中掺入1016cm-3的硼，则其表现为杂质导电类型的最佳工作温度范围为多少？ §3.5 补偿情形下的载流子浓度 §3.5 补偿情形下的载流子浓度 §3.5 补偿情形下的载流子浓度 §3.5 补偿情形下的载流子浓度 §3.5 补偿情形下的载流子浓度 §3.5 补偿情形下的载流子浓度 已知Si中只含一种施主杂质，其浓度ND=1015cm-3，如果在40K时测得电子浓度为1014cm-3，估算该施主杂质的电离能(gd=2)? 已知Si中掺入浓度为1016cm-3的硼，试在300K时求出：（1）电子和空穴的浓度；（2）费米能级。 在施主浓度ND=1014cm-3的Ge材料中，求出室温下的电子和空穴浓度。