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电于显微学报J．Chin．Eleetr．Microsc．soc
122 25(增刊)：122—1232006年
{011}(uvw)取向银基带的织构研究
刘丹敏，刘 星，周美玲，胡延槽
(北京工业大学，北京100022)
由于缸不与超导氧化物发生反应，在Ag基带 的银基带，利用EBSD、XRD、TEM等研究方法，探索
上可以直接沉积YBa2Cu。07．。超导薄膜而不需过渡{011{(uvw织构的形成规律，并为今后制备高强度
层，但基带的织构状态对超导膜的电性能有很大影 的{011l(uw)取向的双轴织构银基带提供理论指
导。
响。研究表明{0lll(u、，w)取向的舨基带有利于外
延生长具有c取向及面内取向的YBa2Cu307一。超导 {011}(211)取向的银基带是采用不脱氧的银
薄膜，进而使超导膜具有高的I临界电流值。目前国 坯，进行92％的大变形量冷轧，再通过700。C真空退
火而得到的。图1a和lb分别是冷轧态和退火态Ag
内外已能够制备{011}(uw)取向的缸基带，但其织
构强度和集中度还不够高，致使在其上沉积的超导 样品的ODF截面图。由图可见在冷轧的衄基带中
已形成了较强的{110
薄膜质量不够好。因此探索Ag中}011}(nw取向 J(211)黄铜取向(妒，=35。，≯=
的形成机理，对进一步提高{011l(uvw)织构的强度45。，妒：=oo)，而经过真空退火后则形成了单一取向
和集中度非常重要。 的{1lOl(211)织构。
本文制备了{01l}(211)和{oll}(011)两种取向
图1 a：冷轧态Ag样品的ODF截面图．b；退火态Ag样品的ODF截面图。
成固溶体，并使银的晶格强化，增加Ag在形变过程
中位错滑移的阻力，使得未脱氧的舨样品冷轧过
程中的形变机制以孪生形变为主，并由此在大变形
量的冷轧样品中形成了较多的形变孪晶。而无论是
形变最初阶段的滑移过程还是形变加剧后的孪生过
程，}110}(2a1)取向都是最稳定的取向。因此未脱
氧的缸样品，经较大变形量冷轧后，形成了具有很
强{110}(211取向的典型黄铜型形变织构。孪晶的
密度相当高，而且孪晶界基本保持平直，孪晶界两侧
图z黼量!蓁!苎基底的 嚣篙譬篇喜-黧敛鬻茎嚣蓍菱喜
…一………………¨…一……’一
TEM电子衍射谱。
于成为再结晶的核心，因而使其周围形变组织均按
研究发现，由于银中能够固溶一定含量的氧形 {011}(211)取向长大，使得退火后得到很强的}110}
基盘项目：国家863项目(No2002AA306221)
电子显微学报J．Chin．Elecir．Miero∞．S∞
25(增刊)：122—1232006年 123
(211)取向。由于
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