GaN-%2c1-x-P-%2cx-三元合金的红外谱研究.pdfVIP

2∞4年8月，涟 ，E，}，LJl量■一—q●l簟茸澹叉 GaN。．，P，三元合金的红外谱研究 陈敦军‘，沈波，许福军，陶亚奇，赵红，张荣，郑有蚪 摘要 制制约着载流子浓度的变化。一个是来自等电子陷阱的影响，它将减少三元合金中载流子的浓度；另一个来自缺陷 的影响，它将增加三元合金中载流子的浓度。文中对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算，其结果显示，随着合 金中P组份比的增加．纵向光学声子—等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动，同时LPP模式线宽逐渐增竟，说 明随着合金中P组份比的增加，LPP模式的耦合作用增加，阻尼增强。 关键词：GaN。P。三元台金，红外反射，纵向光学声子—等离澈乖，晶格振动 八 中图分类号：TN304 资助课题。 +e—mail：生也巫翌旦n强点旦坠』旦 Infrared of Studles Ga