大栅宽SiC+MESFET器件的制造与研究.pdfVIP

2008’全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 大栅宽SiCMESFET器件的制造与研究 陈刚李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松蒋幼泉 (南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家级重点实验室，210016) 摘要t本论文针对S波段1衄、3，6咖、9m、20衄多种大栅宽4H--SiCMESFET功率管的版图设计、制作工艺 和微波性能进行研究及比较．采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，制作出单胞总栅宽1衄、3．6哪、 9m、20m的芯片，经过装架、压丝，通过自主搭建的脉冲微波测试系统，在s波段2GHz频率脉冲测试条件 下得到各个测试结果。 关键词：4H碳化硅，金属半导体场效应管，微波，宽禁带半导体 1引言 SiC由于其特有的材料特性，在高温大功率应用方面有着很大的潜力n矗1。随着对于更高 功率、更高效率和更宽带宽的要求日益增加，近年来国内对于第三代半导体材料、器件的研 究趋势日益加大。而作为第三代半导体中可靠性好的SiCMESFET功率器件在宽带宽、高功率 应用中的各种优势逐步显现，国内在SiCMESFET大栅宽高功率器件的各项研究也进展迅速。 MESFET功率管进行了版图设计；然后采用工艺技术不断改进的半绝缘衬底的4H—siC自主外 延片