高性能LED制造与装备中关键基础问题与研究2011CB013100-G.docVIP

项目名称： 高性能LED制造与装备中的关键基础问题研究 刘岩 深圳清华大学研究院 2011.11-2016.8 依托部门： 深圳市科技工贸和信息委员会  LED制造和装备所面临的五个关键技术挑战为突破口，围绕以下三个重要科学问题展开研究，突破LED产业链上、中、下游关键制造环节中的瓶颈。 科学问题一 大尺寸LED晶圆制造中影响光效、光衰的主要缺陷形成机理及抑制。 随着LED芯片制造向大尺寸衬底晶圆、低缺陷密度、高光效方向发展，对衬底平坦化、外延生长、芯片制造技术及相关装备提出了一系列挑战。例如，大尺寸晶圆衬底表面必须高质量平坦化，否则其缺陷将延伸到外延层，直接影响外延层的质量。另外，由于晶圆尺寸增大，导致衬底制备和外延生长中晶圆翘曲，缺陷更加严重，导致量子效率下降。这些缺陷会直接影响光效、光衰。如何抑制缺陷、提高量子效率是大功率LED制造的关键问题。其中的技术难点包括：大尺寸同质衬底生成过程中的缺陷控制，MOCVD外延中的缺陷抑制和量子效率调控，超硬衬底材料表面原子级平坦化中的缺陷控制。 需要解决的科学问题具体内涵包括：非均匀场和微扰动对衬底和外延层生长动力学过程的影响规律及与缺陷产生的关系，和难加工衬底材料原子级平坦化中的界面行为及缺陷控制原理。需要研究用于大尺寸GaN同质衬底制备的HVPE反应腔和用于大尺寸晶圆外延的MOCVD反应腔的设计方法，以实现反应腔