非晶硅薄膜晶化过程中微结构分析.pdfVIP

维普资讯 第 39卷 第 11期 物 理 学 报 V01．39．No．1l 1990年 I1月 ACTA PHYSICA SINICA Nov．． 1990 非晶硅薄膜晶化过程 中微结构的分析 何宇亮 周衡南 刘湘娜 南京大学物理系，南京，210008 程 光 煦 余 是 东 南京大学固体微结柚物理实验室，南京)21000~ l989年 11月 29日收到 使用X射线衍射技求和高分辨率电子显徽镜 (HREM)，分析研究了在非晶硅薄膜由非 晶 相向微晶相转化过程中其 网络结构的变化特征．由此 ，给人们一十直观的信息，并加深对非晶 硅薄膜微结构的认识 ． 一 、 引 言 非晶硅薄膜的结构与制备条件和工艺过程有着密切联系 ，它对薄膜的物性起着决定 性的作用．为了提高非晶硅薄膜质量 ，人们对沉积设备及工艺过程有关参数的控制进行 着多方面的改进．如 Lucovsky“设计的 Remote等离子体增强化学汽相沉积 (PECVD) 法是为了避免辉光等离子体中高能粒子直接对生成膜表面的轰击 ，从而降低了膜中缺陷， 明显改善 a—Si：H 膜的质量．Tanaka等人 设计出三极管式辉光放 电沉积系统，不仅改 善了生成膜的质量，还明显地提高了薄膜生长速率．近来，Hanna ，TsMt4~等人注意到 沉积过程 中氢对薄膜结构的作用． 自1980年以来，我们以及瑞士苏黎世大学的 S．Vep~ek小组等，曾广泛地研究了微 晶硅薄膜．指出，在微晶硅薄膜 (c—Si：H)的网络中由于含有适当比例的晶态成份 (微 晶粒)，使它的性能具有明显的优越性，如光 、热 稳定性及掺杂效率m都优于 a—Si：H 薄 膜．Veptek的大量工作指出 ，当薄膜由非晶相向微晶相转变时存在一个类似于相变 的转化过程．他从热力学反应角度估算，在相变中形成微晶硅晶粒的最小尺寸为30五． 本文报道使用X射线衍射技术和 HREM，分析研究在非晶硅薄膜向微晶硅相 转 化 过程 中其网络结构的变化特征 ． 二、用 x射线衍射技术分析微晶化过程 实验中选用两组样品：一组是使用 PECVD 法制备的，固定村底温度为 丁。一 250~C 国家 自始科学基金资助的课珏． 维普资讯 何宇亮等 ：非晶硅薄膜晶化过程中徽结构的分析 以及其它工艺条件，仅控制射频沉积功率分别为 7．5W，(0．96×10-1w，c )，10W (1．27 ×1O_1w ／cm2)，26W(3．31×10-*W ／cm)；另一组样品是使用常压化学汽相沉积(CVD) 法制各的，分别选用 。为 550，600，650~2．反应气氛 Sil1 用高纯氢稀释成 15够浓度 ． 早期我们 曾简要地报道了这两组样品在由非晶相 向微晶相转变过程 中的x射线衍 射谱．表明，它们在 28— 1O。--20。范围 (cuxz一 1．54^)呈现出一很宽的非 晶谷 仓，其峰值位于 20 15。处．随着衬底温度升高 (CVD 样品)或射频功率增大(PECVD 样品)，非晶谷仓强度明显下降，且峰位 向高角度方向移动(图 1和图2)．更令人感兴趣的 邪 ) 田1 用 PECVD 法沉积的 a—si：H 薄膜教晶化过程的x射线衍射谱 篇 250屯；1为 7．5W ；2为 10．0W ； 3为 26．Ow 、