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集成霍尔传感器的发展 　白韶红 集成霍尔传感器的发展 Develop ment of Int egrat ed Hall Tran sducer 白韶红 ( 北京市城市建设工程研究院 ,北京　100029) 摘 　要 　首先总结了 100 多年来霍尔效应应用的三个阶段 ,然后介绍各种集成霍尔元件 、集成霍尔传感器的原理、结构、特性和应用 ,最后论 及到当前新型的量子 、等离子霍尔传感器 。对霍尔传感器的发展趋势和特点进行了总结 。 关键词 　霍尔传感器 　集成传感器 　霍尔效应 　发展动向　 Abstract 　Firstly ,the three phases of application of Hall effect in 100 years are summarized . Then ,the principle ,structure ,feature and application of various in tegrated Hall elements and Hall transducers are introduced . Finally ,the latest new quantum and plasma Hall transducers are expounded . The developing trend and features of Hall transducers are also summarized . Key 　words 　Hall transducer 　Integrated transducer 　Hall effect 　Developing trend 1 　概述 2 　各种集成霍尔元件 100 多年来 ,霍尔效应的应用经历了三个阶段 : 2 . 1 　霍尔效应简述 第一阶段是从霍尔效应的发现到 20 世纪 40 年代 如图 1 所示 ,如果将一块载流导电板放入垂直于 前期 。最初 , 由于金属材料中的电子浓度很大 ,而霍尔 它的磁场中 ,当有电流通过导电板时 ,将在它的上 、下 效应十分微弱 ,所以没有引起人们的重视 。这段时期 两侧产生一个电位差 。实验发现 ,在磁场不太强的情 也有人利用霍尔效应制成磁场传感器 ,但实用价值不 况下 ,该电位差 VH 与电流强渡 I 和磁感应B 成正比, 大 ,到了 1910 年有人用金属铋制成霍尔元件 ,作为磁 与导电板的厚度 d 成反比,即 场传感器 。但是 , 由于当时未找到更合适的材料 ,研究 VH = k ( I ·B / d) ( ) 处于停顿状态 。 式中: VH 为霍尔电势或电压; k 为霍尔 灵敏度 系数 , 第二阶段是从 20 世纪 40 年代中期半导体技术出 V/ AT 。霍尔电势形成的机理是 , 带电粒子在磁场中 现之后 ,随着半导体材料 、制造工艺和技术的应用 , 出 运动时 , 将受到洛伦兹力的作用 , 使带电粒子发生偏 现了各种半导体霍尔元件 ,特别是锗的采用推动了霍 转 , 产生一个垂直于其运动方向的电动势 , 即霍尔电 尔元件的发展 ,相继出现了采用分立霍尔元件制造的 势 。　　 各种磁场传感