(1-x)PST-xPZT铁电陶瓷介电与热释电性能的研究.pdfVIP

(1-x)PST-xPZT铁电陶瓷的介电与热释电性能研究1 蓝德均、江一杭、陈异、陈强、肖定全、朱建国* ( 四川大学材料科学与工程学院 四川成都 610064) E-mail: nic0400@ 摘 要：以普通氧化物混合烧结法制备了高钙钛矿相的(1-x)PST-xPZT铁电弛豫陶瓷。发现烧 结温度和PZT掺入量对样品中的焦绿石相的存在影响很大。样品的钙钛矿相成分随烧结温度 升高而增加。介电性能测试表明(1-x)PST-xPZT铁电弛豫陶瓷具有弥散型介电响应特征， (1-x)PST-xPZT铁电弛豫陶瓷的居里点Tc和压电常数d33 随PZT的掺入量的增加而增加。室温下 -8 2 x=0.1 的(1-x)PST-xPZT 陶瓷样品的热释电系数可达到约 15×10 C/(cm .K)。 关键词：PST －PZT 陶瓷；弛豫铁电陶瓷；钙钛矿相；一步烧结制备 1．引言 钽钪酸铅Pb(Sc1/2Ta1/2)O3 （PST ）是一种热释电性能优良的典型B位复合铅基钙钛矿弛豫 铁电陶瓷[1～3] 。由于纯PST 的居里点较低（-5℃－25 ℃），需要在约 1500℃的高温下烧结才 能获得致密、具有钙钛矿结构且性能良好的材料[4]，从而限制了PST陶瓷材料的应用领域。 为了避免会引起陶瓷性能恶化的焦绿石相的形成，通常制备B位复合铅基钙钛矿驰豫铁电陶 瓷的方法是先驱体法，即先将B位化合物或一种B位组份与一种A位组份[5]先行在高温下进行 焙烧，制备出一种中间材料后再将组成陶瓷的其它组份化合物与前驱体混合后烧结得到所需 的陶瓷。但是有也研究表明[6,7] ，用传统电子陶瓷制备工艺（以下简称一步法 ， One-Step-Sintering Method ，OSSM ），也可以制备出B位复合纯钙钛矿相陶瓷材料。由于一般 二元系的准同型相界（Morphotropic Phase Boundary,MPB ）是一个范围很窄的区间，通过 MPB成分的调整而达到调整材料综合性能的自由度很小；但对于三元或更多元系来说，其 准同型相界一般是曲线甚至是曲面，故而在MPB 附近进行组分调控可望进一步优化材料的 综合性能[8] 。因此，在PST基中掺入PZT制成(1-x)PST-xPZT铁电弛豫陶瓷有可能获得到更好 的综合性能。本实验研究中采用一步烧结技术，用成分处于MPB 附近的锆钛酸铅 [Pb(Zr Ti )O ]对纯PST进行掺杂改性，以期提高PST材料体系的居里点，降低其制备温度， 0.52 0.48 3 并简化其制备工艺， 2 ．实验 将分析纯的Sc O , Ta O ，PbO ，ZrO , TiO 氧化物原料按(1-x)PST-xPZT的化学计量比并 2 3 2 5 2 2 过量 10%摩尔数的PbO称量后以无水酒精为介质研磨混合 2 小时，压制成直径 25mm ，厚约 5mm的块，在 850℃预烧 2 小时。然后细磨、造粒、干压成型，制成直径 10mm厚约 1mm的 圆片。同时，按式Pb(Zr Ti )O 配料制备样品烧结铅气氛补偿片。将样片与PZT补偿片一 0.52 0.48 3 起在 450 ℃下排胶 2 小时后升温至设定的烧结温度，保温时间为 4 小时，然后随炉冷却。详 细制备工艺可以参考文献[9]。 用DX-1000X射线衍射仪分析样品的晶体结构及物相组成；用HitachiS—450 扫描电镜观 察样品的表面形貌。将样品表面抛光、清洗后用小型离子溅射仪（SBP －12）溅射厚度约 500nm的银电极。在低于样品居里点20 ℃左右的温度下将样品浸入硅油中在 4000-4500V/mm 的电场下极化 30min左右。极化样品陈化 24 小时后采用微机控制的HP4853 测量在室温到 500℃温区内 1KHz下介电常数ε和介电损耗tan δ随温度的变化关系曲线。利用中国科学院声 1 本课题得到高等学校博士学科点专项科研基金资助课题（编号 20020610014 ）资助 *论文联系人：nic0400@