并联MOSFET漏电流动态仿真.docVIP

并联MOSFET的漏电流动态共享[2008.8.1]作者：Cesare Bocchiola, International Rectifier Pavia LLC 并联HEXFET MOSFET中的动态电流共享问题多年前就已解决。关于MOSFET导通和断开现象，以及并联MOSFET作为其特性和外部布局功能的运转，相关资料都已详细说明。然而，这些研究提供的只是用于静态共享的闭合分析程式，而对于动态共享则建议使用半定量/图解分析程式。此外，这些程式包括一些近似值，不容易使用，并且未考虑所有参数值离散的影响。正确利用现代计算机辅助分析可以开发更加全面的和用户易操作的仿真工具。本文将介绍Matlab/Simulink模型，该模型允许模拟N个并联MOSFET的动态运转情况，在标准电脑上运行，并将结温方面的（一些）参数变化纳入考虑范围。模型特性该模型得到普遍采用——尽管其最初开发目的是用于分析低压汽车应用逆变器支路，而在此情况下若干个MOSFET并联运行，用于增加逆变器的电流容量（如图1所示）。假定负载电流不变（因此由电流电源表示），当高L/R负荷（比如发动机的相位）是由以远高于L/R时间常量的切换频率运行的M相逆变器驱动时，通常会出现这种情况。起点是MOSFET模型，还有源电感和漏极电感。当考虑到现代逆变器时，Ls的作用可能与Ld的作用同样重要，特别是在使用