大功率半导体激光器驱动与控制技术研究_1.pdfVIP

第一章 绪 论 1.1 引言 现代科学各个领域的研究和发展已经进入开放和资源共享的时 代，人类正通过网络和信息技术的桥梁而成为一个整体。信息技术已 成为全球的战略技术，以光电子和微电子为支撑的通信及网络技术已 成为高技术的核心，正深刻地影响着国民经济和国防建设的各个领 域。其中，半导体激光器（LD ，Semiconductor Laser Diode）起着举 足轻重的作用。光通信中信息能够高速、有效地传输依赖于光信号在 光纤中传输的“质量”，而光放大器是提高这种质量的关键部件。适 用于 C 波段（1525nm~1565nm）的掺铒光纤放大器在波分复用（WDM ） 技术中的成功应用使光纤中可传输的信息容量和传输距离迈上了一 个新的台阶[1,2,3] 。目前普遍关注的基于受激拉曼散射效应的RAMAM [4] 放大器也逐渐走向实用阶段 。半导体激光器是实用中最重要的一类 激光器。它体积小，寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦。 其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成[5,6] 。并且 可用高达 GHz 的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出 [7] 。由于这些特点，半导体激光器在激光通信、存储、激光打印机