LED结温测量方法的研究.pdfVIP

海峡两岸第十四届照明科技与营销研讨会 LED结温8{Ji贝JJ量方法研究 郭伟玲王晓明陈建新邹德恕沈光地 (北京工业大学光电子技术实验室) 1 引言 LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一。高功率LED更是半导体照明中的关 键器件，相对于用作指示器件的LED作为照明器件的超高亮度LED，由于耗散功率的增加和 环境温度的变化，会引起LED芯片结温的显著变化，而LED的结温变化则会影响其光通量、 出光效率、颜色、波长以及正向电压等光度、色度和电气参数等，影响器件的寿命和可靠性 n1。此外，LED多以透明环氧树脂封装，若结温超过固相转变温度，封装材料会向橡胶状转 变且热膨胀系数骤升，从而导致器件失效。保持LED结温在允许的范围内，是LED芯片制备、 器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素，尤其是LED器件封装和器件应 用设计必须着重解决的核心问题。 因此，对高功率LED的结温、热阻等热特性参数进行准确快速的测试就显得十分必要。 目前对半导体器件工作温度和热阻的测量方法主要有眩1：红外热像仪法、电学参数法、光谱 法、光热阻扫描法及光功率法等。其中电学法利用LED正向压降随温度的变化关系，测量LED 器件(或组件)的热阻以及LEDPN结平均温度，是LED器件及应用产品热工参数测量中最常使 用的方法。在利用电学法进行热阻测量时，必须预先知道PN结正向压降随温度的变化关系。 本文根据LED正向电压随温度变化的原理，利用恒温箱、恒流源等工具，测量了单有源 区和隧道再生多有源区LED的结温，并对二者的结温和热阻进行了分析对比，对LED的器件 设计和应用提供有力支持。最后对减少温升的具体方法和措施进行了介绍，LED输入功率是 器件热效应的唯一来源，设法提高器件的电光转换效率及提高器件的散热能力是减小LED温 升效应的主要途径。 2结温对LED正向电压的影响 正向电压是判定LED性能的一个重要参量，它的数值取决于半导体材料的特性，芯片尺 海峡两岸第十四届照明科技与营销研讨会 LED的正向电压在 寸以及器件的成结与电极制作工艺。相对于20mA的正向电流通常AIGaInP 1．8V-2．2V之间，而发蓝、绿光的InGaNLED的正向电压处在3．OV一3．5V之间。 二极管方程，在小注入时，二极管方程可以写为[3-4] J，2 (1) J，(exp‘赫)一1) 其中J，为正向电流密度，n为理想因子，其值由正向电压决定，在l～2之间变化。q 为电子电荷，K是玻尔兹曼常数，．，。为饱和电流密度，其表达式可以表示为： ．，。=鸟I庠番+√鲁若I c2， 其中D。，D，分别为电子和空穴的扩散系数，f。，彳，分别为电子和空穴的少数载流子寿命。 扩散系数和载流子寿命都依赖与温度。由于声子散射，扩散系数随温度以丁_1“下降：载流子 寿命可随温度增加(辐射复合)或下降(非辐射复合)，下面的理论推导都是假定Ⅳ^，ⅣD全部电 离，这样可忽略载流子浓度随温度的变化。 本征载流子浓度强烈依赖于温度，吃=、而exp‘芴-E西g)Ⅳ。，Ⅳ，分别为导带底和价带项 的状态密度。状态密度可以表示为： Nc=2(竽)3，2卅他 (3) Nv=2(竽)3，2∥位 (4) 其中m。，m。分别为电子和空穴的有效质量。 在室温时，KT／q=0．02569V，因此在外加电压大于零点几伏时， (1)可以简化为： 驴小Xp(籍)