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ZnO纳米阵列的水热合成 班 级 材料工程 801 姓 名 王恒艺 指导老师 云斯宁 氧化锌是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37 eV，激子结合能高达60 meV，具有从蓝光到紫外波段的发光性能，这使得氧化锌在光电器件方面有巨大的潜在应用价值和广泛发展的产业化前景。 ZnO纳米阵列的水热合成 研究背景 它可被用于透明导电膜、表面声波器件、真空荧光显示器、光激射激光器、气体传感器、紫外光探测器等。并且在化工、电子、生物、医药等许多领域展现出许多功能和用途。 用 途 ZnO纳米阵列的水热合成 选题意义 近年来，由于水热合成相对于物理气相沉积法、化学气相沉积法 、溶胶凝胶法, 分子束外延法 、热蒸发法、阳极氧化铝模板法等方法具有能耗低、适用性广、可控性强、产率高、物相均匀、纯度高、结晶良好以及环境污染小等优点, 引起了人们越来越广泛的关注。因而本次选择了水热合成法制备ZnO纳米阵列。 ZnO纳米阵列的水热合成 实验内容 我们采用ZnCl2 溶液和浓氨水在铜和硅等不同基底上制备出不同特征的ZnO 纳米阵列。并讨论所得物质SEM和XRD图可能出现的情况，以及出现某种图样所代表的产物结构形态。 ZnO纳米阵列的水热合成 实验方法 ZnO纳米阵列的水热合成 首先在300℃ 的条件下在Si( 100) 片上磁控溅射1层厚度约为300nm 的ZnO缓冲层, 作为ZnO 纳米棒的生长衬底。将2ml质量浓度为25%的浓氨水( 焦作信得化工) 加入70ml 浓度为0. 05mol/ L的ZnCl2 (上海新宝精细化工厂) 溶液中,加适量去离子水调整溶液的pH值到10. 0, 作为反应溶液。将衬底垂直浸入反应溶液, 装入反应釜密封后置于温度为95 ℃ 的恒温水浴锅中。反应时间分别为2、3、4、5h, 下文中将其分别称为1-4号样品 ZnO纳米管的制备 将纯度为99. 99%的铜片垂直浸入反应溶液( 配置方法同ZnO 纳米棒制备实验) , 装入反应釜密封后置于温度设定为95℃ 的恒温水浴锅中。经过2. 5h 加热后取出反应釜, 置于温度设定为45℃的恒温水浴锅中冷却。取冷却时间为1. 5、2. 5、3. 5h 的样品, 分别命名为5-7号样品 ZnO纳米阵列的水热合成 ZnO纳米棒结果讨论 对1-4号样品，如果SEM显示的是ZnO 缓冲层很牢固而且致密地分布在Si 片上,XRD图只有一个峰，则说明所得物质为纳米棒阵列, 若相对强度很强, 说明磁控溅射的氧化锌缓冲层具较好的c 轴取向性。如果有两个以上的峰，说明生成的不是纳米棒阵列。若SEM图是随着反应时间的增加, ZnO 纳米阵列的长度和直径都有所增大, 说明反应所处的温度、pH 值等条件是ZnO纳米阵列生长的适合环境。 ZnO纳米阵列的水热合成 如果SEM图显示的是随着冷却时间的增加, 有越来越多的ZnO 纳米棒通过中间溶解的方式形成ZnO 纳米管, 而且溶解的深度也逐渐增加。则说明纳米棒阵列在冷却的时候逐渐转变为纳米管阵列，并且在铜衬底上生长的ZnO纳米棒不如在溅射有缓冲层的Si 上生长的ZnO 纳米棒排列整齐、有序, 而ZnO 纳米棒之间的相互挤压也会影响ZnO 纳米管的形貌 ZnO纳米阵列的水热合成 ZnO纳米管结果讨论 光学特性研究 在室温下用325nm 的激光激发7号样品，如果样品有两个发光区域, 其中在紫外区域的发光峰强度较强, 半高宽较窄, 而在可见光区域, 也存在一明显的发光峰, 只是强度相对较弱。说明制得的ZnO 纳米管具有很好的光致发光特性 ZnO纳米阵列的水热合成 结束语 ZnO纳米阵列的水热合成 通过本次科研实训，我学会了很多写论文的技巧，掌握了检索资料方法。同时对纳米ZnO有了较全面的理解。在此，我衷心的感谢云老师给予我细心指引与教导！ * Insert a map of your country. * Insert a picture of one of the geographic features of your country. * Insert a picture illustrating a season in your country. * Insert a picture of an animal and or plant found in your country. * Insert a picture that illustrates some part of your country’s economy. * Insert a pictur