金属离子在多孔硅表面的吸附与电镀过程中金属在多孔硅表面的淀积.pdfVIP

维普资讯 化学学报ACTACHIMICASINICA1998，56，171～177 一f77 金属离子在多孔硅表面的吸附与电镀过程中 金属在多孔硅表面的淀积 王冠中 李 鹏 马玉蓉 方容』 (=)6 - — — 一 (中国科学技术大学物理系 台肥 23o~6) 李凡庆 了 (二、 (中国科学技术大学结构与成分分析中心 台肥 230026) 摘要 刚制备的多孔硅与金属盐溶液接触会产生金属离子在多孔硅表面的吸附现象 ．实验显示这 一 现象只发生在新鲜的多孔硅表面，而存放一月 后的样品不具备此性质 ．文中把这一现象归园于 新鲜的多孔硅表面电子的富集，溶液中金属离子从多孔硅表面获得电子而附着 ．多孔硅表面电镀金 属过程中，一定电压下电镀电流密度在起始阶段逐渐下降，可以用～个指数关系式较好地描述，在本 文中用一十唯象模型予以解释 ． 关键词 多孔硅，吸附，电镀，离子 金 洒根 — — 一 — ～ — 一 ～ 本文报道在无外电场情况下金属盐溶液中多孔硅表面对金属离子的吸附以及 电镀过程 中 金属在多孔硅表面淀积的生长机制 近年来多孔硅发光的发现ll引起人们对硅基光 电子器件 的浓厚兴趣，许多工作着重于揭示多孔硅发光的内在机制[2-4J和追求 电致发光 的更大效 率Cs-7J．由于多孔硅的高效率电致发光具有潜在应用前景，我们把注意力集中在多孔硅与金 属接触结构的研究，希望由此获得提高电致发光效率的有效途径 同时多孔硅极大的比表面 积提供了半导体与金属接触的新的研究对象 近年来 已有许多工作探讨多孔硅接触结构的电 学特性[5,6,8--I1J和电致发光现象5【,6,10,11J，指出了多孔硅众多的表面态导致接触结构具有较大 的内部串联 电阻和较 大的理想 因子_l0_ll，这 同时也阻碍 了多孔硅 电致发光效率 的提 高l8,10,11J多孔硅表面的悬键态也被认为是金属多孔硅接触结构出现横 向光伏效应的原 因[12ZPacebutas等L13J的工作则表明剐制备的F型多孔硅在制成接触结构后没有明显的光伏 效应．只有在多孔硅表面的纳米级的表层去除后制各接触结构光伏效应才明显出现 近年来 关于多孔硅接触结构的研究主要集中F—Si制备的多孔硅，接触结构的制各方法也没有涉及 电镀法．但我们在研究中发现，用 电镀法制作的接触结构的内部串联 电阻和理想因子远小于其 他方法制作的接触结构，同时n—Si制各的多孔硅制成接触结构后具有较大的光伏效应，对此 我们另作报道 1 实验 男，∞ 岁，博士，讲师 收稿 日期 1996—09—10 维普资讯 172 化学学报 ACTACHIMICASINICA 1998 用来制备多孔硅的是单面抛光的(1oo)方向的n型单晶硅，电阻率为--Sf~·crl1．首先在硅 片未抛光面制备欧姆接触的铝膜，然后采用阳极氧化方法制备多孔硅，溶液配 比为HF：H2SO4 ：酒精=4：2：4，电流密度为 5mA-cn1_。，阳极化时间为 30rain，在制备过程中采用 150W 钨灯 距硅片20cm处照射 ． 2 结果与讨论 2．1 多孔硅表面对金属离子的吸附 完成阳极化腐蚀的硅片经过酒精冲 洗后，让其有多 L硅的一面接触 0．1 mol-dm 浓度 CuSO4溶液(溶液用分折 纯CuSO4晶体溶于去离子水配置而 成)，3omln后取出样品 ．我们发现在多 替 孔硅表面明显附着一层金属Cu膜，而 在硅片同一表面非多孔硅部分则没有 博 Cu膜附着，这一点也从x射线衍射谱中 瓢