光子晶体光控光开关发展.pdfVIP

第25卷 第 3期 江苏教育学院学报 (自然科学版) V01．25 No．3 2008年9月 JoumalofJiangsuInstituteofEducation(NaturalSciences) Sep．，2008 光子晶体光控光开关的发展 顾 清 媛 黄 晓琴 (南京师范大学物理科学与技术学院，江苏南京 210097) 摘 要 光控光开关是未来全光通信网相关器件中的一个关键组成部分，开发光开关技术并使之小型化，对全光网来 说是一个重要的挑战．由于光子晶体在光学集成方面所具有的独特优势，基于光子晶体的光控光开关已经成为国际上 的一个研究热点．本文主要介绍了光子晶体的光控光开关的各种实现方法． 关键词 光子晶体 ；光控光开关 l 光子晶体 光子晶体也称光子带隙材料，是高介电常数介质材料和低介电常数介质材料在空间呈周期排列的人造晶体，其晶格常数与 工作波长处于同一个数量级．频率落入光子带隙中的电磁波，由于光子晶体的强烈的布拉格散射效应 ，将被光子晶体全反射回 来而不能在光子晶体中传播，因而光子带隙中的光子态密度为零．光子 晶体的光子带隙出现在布里渊区的边界上，它不仅与光 子的能量有关，还与光子的传播方向有关．如果光子晶体在空间的所有传播方向上都有带隙，并且每个方向上的带隙都能相互 重叠 ，则称这种光子晶体是完全带隙光子晶体．如果光子晶体在空间不同方向上的带隙并不完全重叠 ，或者只在特定的方向上 具有带隙，则称之为不完全带隙光子晶体或赝带隙光子晶体． 半导体材料的缺陷和掺杂特性会影响其能带结构．向高纯度的半导体晶体中掺入少量杂质，禁带中会出现相应的缺陷能级 和杂质能级．类似地，可以在光子晶体中引入缺陷，缺陷的引入同样会在光子带隙中产生相应的缺陷态，使光子晶体的能带结构 受到影响．当缺陷是由引入额外的高介电材料所致时，其特性类似于半导体掺杂中的施主原子，缺陷能级将起始于空气带底 ，并 且随着缺陷的增大而移向介电带；当缺陷是由移去部分高介电材料所致时，其特性类似于半导体掺杂中的受主原子 ，缺陷能级 将起始于介电带顶，并且随着缺陷的增大而移向空气．在光子晶体中，缺陷理论上可以被设计成任何形状和大小 ，而且还能选择 各种具有不同介电常数的材料来制造，从而，缺陷引起的能级可以根据设计被调节到任何频率范围．光子晶体的这些性能使人 们在改造和控制光的性质的能力上有了新的突破． 2 传统光开关 光通讯技术由于具有传统通信技术无可比拟的优越性，不仅在洲际和国家骨干网中被广泛采用，而且越来越多地应用于宽 带交换网及宽带接入网中．随着光通讯和密集波分复用技术的迅猛发展，日益复杂的网络拓扑结构对可靠、灵活的网络管理方 式要求越来越高，光交叉互连 (OXC)技术就是其中的一项关键技术，光开关则是OXC中的关键器件，尤其是无需光电、电光转 换的全光交叉互连器件，其技术水平直接决定着光通讯网络的性能．因此对各种光开关的研究被提到了极为重要的位置 J． 而光控光开关是一种重要的集成电子学器件 ，完全利用光子与介质的相互作用来实现对光传输过程进行有效的 “开”“关” 控制作用．现在各种类型的光控光开关已经可以用来实现多种复杂功能，如各种逻辑门、波长转换 、解复用功能、信号再生、时钟 提取 ]、信号码型变换 (如RZ和NRZ码的转换)以及信头识别和处理 等．尤其NOLM和在其基础上衍生而来的TOAD，不但 简单稳定而且具有低的开关功率，能做成比较理想的波长转换器、解复用器等． 目前发展的光控光开关主要是以下几种 ： (1)Mach—Zender型光控光开关 ]．Mach—Zender型光控光开关是 目前研究最多，使用最多的一种结构，它是一种干涉型 光开关．目前，开关速度不受载流子寿命限制的对称M—z型结构已经被应用于研究和制造超快全光开关．对称M—z开关有两 个非线性工作的波导臂 ，两束控制光分别注入到非线性波导臂后，将改变波导的折射率 ，使得该波导臂的光程发生相应变化，形 成相干增强或相消，达到开关的目的． (2)平面反射型光开关 ]．平面反射型光开关是在表面淀积金的反射镜 ，利用半导体的可饱和吸收特性工作的．在没有控制 光入射时，信号光几乎被完全吸收，处于没有反射的断开状态．在控制光入射后，由于控制光引起了吸收饱和，使得信号光的反