多晶硅薄膜太阳电池研究与进展.pdfVIP

第 26卷 　第 2 期 太 　阳　能　学　报 Vol26, No2 　 2005年 4 月 ACTA EN ER GIA E SOLAR IS SIN ICA Ap r, 2005 文章编号 : (2005) 多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展 1 2 3 1 胡芸菲 , 沈 　辉 , 梁宗存 , 刘正义 ( 1华南理工大学机械工程学院 , 广州 510640; 2 中山大学太阳能系统研究所 , 广州 510275; 3 中科院广州能源研究所 , 广州 510070) 摘 　要 : 从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅 ( ) ( ) 薄膜太阳电池的最新研究进展 。并以颗粒硅带 SSP 为衬底 , 采用快热化学气相沉积 R TCVD 法制备了多晶硅 薄膜 , 随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到 605% 。 关键词 : 多晶硅薄膜 ; 颗粒硅带 ; 化学气相沉积 ; 区熔再结晶 中图分类号 : TK514　　　　文献标识码 : A 阳电池理解为 : 0　背景介绍 活性层为多晶硅薄膜 , 晶粒尺寸 ≥100nm , 无 光伏发电是对太阳能这种清洁能源的直接利 非晶相 , 活性层主要由晶粒和晶界组成 ; 用 , 近年来由于人们对环境 、能源等问题的关注 , μ 薄膜厚度 ≤50 m , 无法自身支撑 ; 要求大力发展可再生能源的呼声越来越高 , 光伏发 活性层由衬底支撑 , 衬底为非硅材料或低品质 电因而得到了迅猛的发展 。然而 , 与传统的发电方 硅材料 。 式相比, 光伏发 电的成本依然很高 。据计算 , 对 多晶硅薄膜太阳电池制备工艺的主要区分点在 15%左右效率的光伏组件 , 发电成本需降至 1 ＄/ 其沉积温度和沉积方式 。 Wp , 才能被市场普遍接受并逐渐替代非可再生 化 学 气 相 沉 积 法 ( CVD ) 和 液 相 外 延 法 能源 [ 1 ] 。 (L PE) 是制备多晶硅薄膜 的两种最主要 的方法 。 多晶 硅 太 阳 电池 已报 导 的 最 高 效 率 为 CVD 更是制备 多 晶硅 薄膜最普遍采用 的方法 , [ 2 ] ( ) 203% , 因而对现在的硅基太阳电池来说 , 达 它通常是将气源 例如 SiH 、 SiHC l 采取不 同