一种改进开关电容∑-△调制器行为模型.pdfVIP

第 40卷第 1期 微 电 子 学 Vo1．40，No．1 2010年 2月 croelectronics Feb．2010 一 种改进的开关 电容 ∑一△调制器的行为模型 郝志刚 ，杨海钢 ，张 种 ，吴其松 ，尹 韬 (1．中国科学院 电子学研究所，北京 100190；2．中国科学院研究生院，北京 100049) 摘 要： 提出了一个开关电容 ∑一△调制器的行为级模型。该模型不仅考虑了通常非理想特性， 包括取样的抖动、kT／C噪声、有限带宽、有限摆率、电荷注入，还考虑了对系统性也有很大影响的 开关的非零、非线性导通 电阻。提出的模型在 Simulink中实现，并与CadenceSPICE的电路级仿 真进行 了比较验证 ，二者具有较好的一致性。 关键词： ∑一△调制器 ；开关电容；行为模型；非理想特性 中图分类号：TN761 文献标识码：A 文章编号：1004～3365(2010)01—0108—06 AnImprovedBehavioralM odelofSwitched-CapacitorZ-A Modulator HAOZhigang～，YANGHaigang ，ZHANGChong～，WU Qisong～，YINTao (1．InstituteofElectronics，TheChineseAcademyofSciences，Beijing100190，P．R．Ckina； 2．GraduateUniversityoftheChineseAcademyofSciences，Beijing100049，P．R．China) Abstract： A non-idealbehavioralmodelofswitched—capacitor(SC)y-△modulatorimplementedinSimulinkwas presented．Inthismodel，notonlynon-idealities，suchassamplingjitter，kT／Cnoise，finitebandwidth(BW)，fi— niteslewrate(SR)，chargeinjection，weretakenintoconsideration，butalsononzeroandnonlinearon-resistanceof switches，whichareequallyimportanttothesystem performance，yetusuallyneglectedduetomodelingdifficulty， wereincluded．Theproposedmodel，whichwasimplementedinSinmlink，wasvalidatedbycomparingwithCadence SPICEsimulationattransistor-leve1．Resultsindicatedagoodconsistency． Keywords： E-Amodulator；Switched-capacitor；Behavioralmodel；Non—ideality EEACC： 1250 模块性能指标的确定阶段使用 。 1 引 言 在 ∑一△调制器行为级模型建立方面，已经有很 多很好的工作 ¨1引。文献 [1]对 △调制器模型给 △调制器最适合高精度A／D转换器结构，使 出了详细的公式推导，但没有考虑摆率的影响。文 用标准的集成电路工艺，最高可达到 19～22位的 献[2]提出在 MatlabSimulink中实现 ∑_△调制器 精度。∑_△调制器最大的特点是在对模拟部件要求 模型。在文献[3，