水杨醛肟修饰碳糊电极吸附溶出伏安法测定钯_的研究_汪振辉.pdfVIP

19 4 V ol . 19. N o . 4 2000 7 Ch nese J our na l o f Analys s L abor ato ry 2000- 7 ( ) * , , , ( , 453002) : 报道了水杨醛肟化学修饰碳糊( SA M CP) 电极的制备, 研究了钯( Ⅱ) 在 该电极上的阴极溶出伏安特 。在 pH 2 . 6 的N H 4Cl 底液中, 钯( Ⅱ) 在- 0. 78V ( v s . SCE) 处有 一灵敏的阴极溶出峰, 峰电流与钯( Ⅱ) 的浓度在 4. 7 ×10- 8 ～2. 8 ×10- 5 / 之间呈良好的线 关系。当富集 2 时检测限为 2. 4 ×10- 9