SiPIN-^6LiF-SiPIN中子能谱探测器的研制.pdfVIP

维普资讯 376 中国原子能科学研究院年报 2007 GaAs化合物半导体光 电导型探测器 丁洪林，郝晓勇，孟 欣，张万昌，张 凯 本课题研发的 GaAs化合物半导体光电导型探测器可用于脉冲辐射束的探测。化合物半导体 GaAs、InP光电导探N-~N~恒定电压，在脉冲x、1，射线束的照射下，光电导探测器的电阻下降， 而在 电极输出端输出正比于电阻变化的电流脉冲信号。本实验采用面垒工艺技术制备GaAs光电导 探测器。这种工艺制备的GaAs光电导探测器特点是工艺简单、性能稳定、时间响应快。图 1为 GaAs光 电导探测器时间响应的测试结果。 图1 GaAs光 电导探测器时间响应的测试结果 a一 上升时间 104．9ps，下降时间897．7ps： 上升时间 176．0ps，下降时间 1．636ns Si漂移室探测器 张万昌 完成了 Si漂移室探测器工艺设计、工艺制备，解决了双面光刻、信号电极面不同类型离子注 入等关键技术，研制出5、1O、15、20删n2的si漂移室探测器。完成了si漂移室探测器不同偏压 下内部电位分布、电子浓度分布的计算机模拟计算。完成了5、10ⅡⅡn Si漂移室探测器测量电路 板的设计、制备，进行了5、10nlnlSi漂移室探测器的测量。 SiPlN一。LiF-SiPlN中子能谱探测器的研制 张万 昌 本工作主要研究高分辨SiPIN探测器结构设计、工艺及封装，研究在SiPIN表面制备 Li薄膜 工艺及与探测器匹配的低噪声前置放大器 。 研制出了5、10、25、50、100IIuIlSiPIN探测器样品及探测器封装外壳，全耗尽时探测器漏 电流为0．1～0．5nA，达到了国外同类探测器的水平 ；研制出了低噪声电荷灵敏前置放大器，无反馈 电阻、第一级场效应管 (FET)正偏置、第一级场效应管与后级 电路板分离的电荷灵敏前置放大器 维普资讯 技术应用研究与开发 377 及脉冲 复位式 电荷灵敏前置放大器 ，电子学 噪声接近 国外 的置放大器噪声水平 ，可满足 SiPIN一6LiF — SiPIN 中子能谱探测器系统的要求；完成了在 1O、25mm SiPIN探测器表面制备 LiF 薄膜工艺；完成了信号处理电子学研究及样机研制。 探测器样品达到的技术指标如下：LiF厚度为 150~tg／cm2时，能量分辨约200keV；LiF厚 度为30pg／cm 时，能量分辨约7OkeV。谱图如图 1所示。 器 潮 涮 ～ _L_ J]41~11 ￡ 娜 - ¨tn-‘ -l -tH d-_c ¨br-ym■^ 图 1 测量谱图 a一 3Op．g／cm2％iF薄膜 1Omln2探测器 Am；b一 150雌．／cm 6LiF薄膜 10ⅡⅡn探测器 Am 基于核四极矩共振技术的EDS-M邮件检测系统 何高魁 本项 目研究基于核四极矩共振 (NQR)技术的邮件检测系统。该系统采用了自动调谐技术，以 保证探头只对感兴趣的频率灵敏；集成了温度一频率关系曲线，使得系统能够根据被测样品的温度 自动修正激发频率。同时，在数据处理中引入加权算法抑制噪声干扰。系统设计如图1所示。该系 统由一体化的射频脉冲处理器 (包括激发脉冲产生、门控逻辑、数据