第四章硅锗晶体中的杂质和缺陷.pptVIP

半导体材料 * 第四章  硅/锗晶体中的杂质和缺陷 * 杂质的分类 Ⅲ族杂质 Ⅴ族杂质 一、杂质能级 浅能级杂质 深能级杂质 对材料电阻率影响大 起复合中心或陷阱作用 * 二、杂质对材料性能的影响 1.杂质对材料导电类型的影响 掺杂一种杂质 掺杂两种杂质 2.杂质对材料电阻率的影响 3.杂质对非平衡载流子寿命的影响 降低了载流子的寿命 * 三、硅锗晶体的掺杂 半导体的电学参数通过掺杂来控制的，拉单晶的过程时就掺入杂质。 杂质掺入的方法 共熔法：纯材料与杂质一起放入坩锅熔化 投杂法：向已熔化的材料中加入杂质 不易挥发的材料 易挥发的材料 * 单晶生长时，杂质分布不均匀会造成横向和纵向电阻率不均匀 1.直拉法单晶纵向电阻率均匀性的控制 电阻率均匀性是半导体材料质量的一个指标 变速拉晶法：先用大拉速，再用小拉速 双坩锅法（连通坩锅法，浮置坩锅法）（P80） 一、直拉法生长单晶的电阻率的控制 * 2. 径向电阻率均匀性的控制 固液界面的平坦度 为了获得径向电阻率均匀的单晶，必须调平固液界面。采用的方法有: A：调整晶体生长热系统，使热场的径向温度梯度变小 B ：调节拉晶运行参数，例如对凸向熔体的界面，增加拉速；对凹向熔体的界面，降低拉速 C：调整晶体或者坩锅的转速