高K金属栅 集成电路工艺课件.pdf

现代器件工程之七高K介质 中科院微电子所 海潮和 • §7.1 特征尺寸减小带来的负面影响及对策  常规SiO2栅漏电流会呈指数规律增大  多晶硅耗尽效应显著  硼穿透效应严重  常规的多晶硅栅电阻急剧增加  沟道杂质涨落显著  返回 表1 2005 ITRS公布的世界IC工艺技术发展蓝图  HK t t  HK OX  OX 解决方案 研究工作者探索了很多解决途径，发现采用高介电常数 （简称高k）栅介质和金属栅是有效解决方案之一： 高k材料：  HK t  t HK OX  OX 在相同等效氧化层厚度下，高K材料具有更厚的物理厚 度，可以减小栅与沟道间的直接隧穿电流  金属栅： 可以很好地克服多晶硅耗尽效应，消除硼穿透 效应。同时，电阻率极低，栅电阻小 §7.2 高k材料及工艺研究现状 材料类型 介电常数 带隙Eg/eV 与硅的导带间距 ΔEc/eV SiO 3.9 8.9 3.2 2 Si N 7 5.1 2.4 3 4 Al O 9 8.7 2.8 2 3 Ta O 26 4.3 0.3 2 5 TiO 80 3.5 1.2 2 HfO 25 5.9 1.5 2 ZrO 25 5.8 1.4 2 表1 几种常用的高K材料 几种高K材料的对比  对高k栅介质的要求:  Al2O3 优点：带隙和势垒高