CIG金属预置层中电沉积Cu及Ga工艺研究.pdf

摘要 摘要 采用分步电沉积法制备CIG薄膜，具有成本低，原料的利用率高、能量消 耗低、适合大面积生产等优点，逐渐成为新的研究的热点。但分步法电沉积也 存在很多问题，如电沉积的Cu薄膜与直流溅射的Mo薄膜的结合力问题以及电 沉积Ga溶液的稳定性等问题。 本论文首先采用三电极体系和霍尔槽，通过改变溶液中硫酸铜的含量和pH 值，对电沉积Cu进行了实验研究。研究发现溶液中硫酸铜的含量对镀铜的影响 不大，而pH值必须控制在0．5以下。改变Mo薄膜的直流溅射工艺，研究其对 Mo薄膜电导率，反射率以及对镀铜薄膜质量的影响，研究发现在1．5A，0．2Pa 溅射的Mo薄膜最适合电沉积使用。 本论文采用三电极体系，在酸性水溶液中，分别对在Ga衬底和Cu／In衬底 上进行了Ga电沉积的研究。对几种溶液体系的Ga溶液，进行了循环伏安法测 试和沉积实验，发现Cl。离子、葡萄糖和三乙醇胺对Ga的沉积量和Ga薄膜的质 量都有显著的影响。此外，研究了pH值变化对溶液稳定性和Ga电沉积的影响。 研究发现，葡萄糖能明显提高Ga的含量，但是氯离子对Ga的含量没有明显效 果。从薄膜质量来看，氯离子的加入使薄膜质量明显变差。沉积Ga薄膜是两个 过程，分别是在111和Ga表面生长。在11l和Ga表面的生长