V2O5／MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体结构和性能的影响.pdfVIP

V2O5／MoO3掺杂对NiCuZn铁氧体结构和性能的影响 成军平，徐全吉，杨许文，张怀武 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054) 摘 要：采用固相反应法制备了NiCuZn铁氧体，研究了V2O5／MoO3不同掺杂量对材料 电磁性能的影响以 及V2O5／MoO3这两种物质掺杂效果的对比。结果表明，在900~C烧结条件下，随V2O5／MoO3掺杂量的增多， 样品起始磁导率呈现出先增大后减小的规律 (掺杂0．25wt％V，O ／0．5wt％MoO 时出现磁导率峰值 。对比两种掺 杂物质 ，发现掺 MoO3样品的起始磁导率和饱和磁化强度略好于掺 V2O5的样品；掺 V2O5样品的品质因数和矫 顽力好于掺 MoO 的样品。 关键词：NiCuZn铁氧体；掺杂；低温烧结：起始磁导率 中图分类号：TM277 文献标识~i-q：B 文章编号：1001—3830(2010)01．0059—04 EffectsofV2o5／M oO3AdditivesOiltheM icrostructureand PropertiesofNiCuZnFerriteM aterial CHENGJun—ping，XUQuan-ji，YANGXu—wen，ZHANGHuai—wu StateKeyLaboratoryElectronicofThinFilmsandIntergratedDevices，UniversityofElectronic ScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China Abstract：NiCuZnferritematerialwaspreparedbysolid—statemethodusinghighpurityrawmateria1．Theeffect ofV20dMoO3additivesonthemicrostructureandmagneticpropertiesofNiCuZnferritematerialwasinvestigatedand compared．Itwasobviouslyobservedthatwhensinteringat900~C，withincreasingtheamountofV205／MoO3additives， theinitialpermeabilityofV205／Mo03一addedNiCuZnferriteincreasesfirstandthendecreases，withpeakpermeabiliyt valueforO．25wt％V205一addedand0．5wt％ MoO3一addedsample．respectively．Bycontrast．inititalpermeabilityand saturationmagneticinductionofMoO3一addedferritearebetter；butqualityfactorandcoerciviyt ofV205-addedferrite arebetter． Keywords：NiCuZnferrite； additives； lowtemperaturesintering； initialpemr eability 1引言 的z轴尺寸为代价，因而大大限制 了片式 电感器件 或模块小型化、集成化发展的进程和效果 』。为了 随着微 电子信息技术的迅猛发展，电子产品在 解决这一矛盾，最佳的方案就是提升低温烧结铁氧 小型化、便携式、高集成化方面的需求，对元器件 体材料的起始磁导率 。而NiCuZn铁氧体的低温烧 的小型化要求愈来愈迫切，SMT元器件的封装尺