Be%2fCu合金热等静压扩散连接工艺和机理与研究.pdfVIP

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Be%2fCu合金热等静压扩散连接工艺和机理与研究.pdf

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Master’s Degree Dissertation of Chongqing University Research on process and mechanism of Be/Cu-alloy Hot Isostatic Pressing diffusion Bonding Master Candidate: Tan Jiamei Supervisor: Prof. Zhou Shangqi Major: Material Science College of Material Science and Engineering Chongqing University Octo. 2007 摘 要 在国际热核聚变反应堆中,需要用Be 与Cu 合金复合结构作为面向等离子体 材料,在工程上主要采用扩散连接方法或者钎焊来实现Be 与Cu 合金的良好连接。 本文选择热等静压扩散连接工艺对Be 与Cu 合金进行连接。采用扫描电镜(SEM)、 能谱分析(EDS)、X 射线衍射仪(XRD)和 X 射线光电子能谱仪(XPS)等分析手段研 究连接接头界面组织结构和剪切断口断裂机制和物相组成。通过量子化学软件 Material stuidio 软件中的Castep 模块计算可能生成的金属间化合物的生成自由能, 结合“通量-能量原则”研究接头界面反应层的形成;对金属间化合物的原子轨道集 居数和键重叠集居数进行分析。采用Castep 计算在空位机制下Be 、Cu、α-Ti 和β-Ti 的空位形成能和扩散迁移能,对Be 、Cu、α-Ti 和β-Ti 与单空位结构的原子轨道集 居数进行了分析。 在850℃时采用Ti 作为中间层连接Be 与Cu 合金,得到的接头连接界面形成 了 TiBe 、α-Ti 固溶体(其中有一定量的析出相 Ti Cu)、Ti Cu、Ti Cu 、Ti Cu 和 2 2 2 3 4 2 3 TiCu4 连续过渡的层状结构。接头剪切强度较低,剪切断口为解理-沿晶混合断裂, 断口X 射线衍射分析表明断裂发生在金属间化合物Ti Cu 和Ti Cu 相的交界处。 2 3 4 采用AlSiMg 、Al 、Ti 箔层作为中间层,并在Be 端镀Al 、CuCrZr 端镀Ti 后 在555℃时热等静压扩散连接Be/CuCrZr ,接头界面结合致密,生成的金属间化合 物为Ti Cu 相。接头剪切强度较低,其断口断裂方式主要为解理-韧窝断裂。 3 4 在620℃时,CuCrZr 端镀Cu 层后扩散连接的Be/CuCrZr 接头,在靠近Be 端 生成了Be Cu 相,在Cu 端生成了Cu+BeCu 相。Cu 镀层与原始Cu 合金界面明显, 2 样品剪切强度低,为准解理断裂,断裂发生在Cu 镀层与基体的分界处。 在 580℃时,直接连接的Be/CuCrZr 接头界面扩散层由 Be 端的 Be2Cu 相和 CuCrZr 端的Cu+BeCu 相组成,样品剪切强度较高,断裂方式为韧窝-沿晶混合断 裂。断裂发生在Be2Cu 与BeCu 相的界面处。而在Be 端镀5μmTi 、CuCrZr 端镀不 同厚度Cu 后连接的Be/CuCrZr 样品,Ti 在Cu 中的扩散距离大于在Be 中的扩散 距离,发生了不对称扩散。扩散层内有Ti Cu 和TiCu 等金属间化合物生成。断裂 3 4 4 方式均为准解理断裂。采用 10μmCu 和50μmCu 的样品,Be 、Ti 扩散不充分,接 头于Be 、Ti 界面处断裂,结合强度也较低。而Cu 镀层为 30μm 的样品,接头于 扩散

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