Progress on Pixel CdZnTe Detector.pdfVIP

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2018-03-28 发布于湖北
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Progress on Pixel CdZnTe Detector.pdf

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2009 IMP HIRFLAnnualReport 225 5—9 Progresson PixelCdZnTeDetector W angZhusheng，XiaoGuoqing，LiZhankui，TanJilia，HanLixia LiHaixia，BaoZhiqin，ZuKailing，W angXiuhua，LiChunyan WeiJifang，RongXinjuanandGongWei TheCadmium—Zine—Telluride CdZnTe materialhasthepropertiesofwideforbidden gap Eg一 1．6 eV andhighatomicnumbers Zcd一48，ZT一 52 ．ThedetectormadeofCdZnTecouldwork innormal temperature，andit’squiteeffectiveforthedetectionof0【particlesand7-rays．TwotypesofpixelCdZnTe detectorshavebeenfabricatedandtestedinourlab．Oneisthe3×3pixeldetectorwhichis2．5×2．5×2．5 m m 。，andtheotheristhe5×5pixeldetectorwhichis3mm ×3mm ×2．0mm ． Fig．1 Thephotographof3×3pixeldetector Fig．2 Thephotographof5×5pixeldetector Thedetectorsaremadeofhigh—puritynativeCdZnTemateria1．Theraw sizeoftheCdZnTesamplesis 10×1O×2．5mm0．ItisN—typesinglecrystalwithnominalCd09Zn0】Tecomposition．Theorientationof thecrystalis 111 ±0．5。，anditsresistivityishigherthan1×10。Qcm．TheelementofInhasbeendoped inthecrystalwith 15ppm． ThefabricationprocedureofCdZnTedetectorisasfollows．Cadmium—Zine—Telluride Grinding— Rinsing--~Etching—+ Flushwithpurewater-~Dippinginmethanol—+ Aging—+ Back—endencapsulation— EvaporativecoatingofAlonbacksideandAuonfrontside Electrodedrawing-~Testing．Intheetching procedure，thesampleswereetchedwith2 Vo1． Br—MeOH solution，followedbyarinseinMeOH so— lution，thenachemo—mechanica1polishing CM P withBr—M eOH andlacticacidwasfollowedtoremove theimpuritiesonthesurface．Fortheaging treatment，thepreparedsampleswerepassivation—treated immersingtheCdZnTewafersinasolutionof10 W t． NH4F+H2O2intheTeflonutensil PTFE ． Table1． Themeasured of ’Am g-sourceforCdZnTe5×5 pixeldetectors Table2． Themeasuredenergyresolution of Cs662 keV