功率MOSFET之基础篇.pptVIP

功率MOSFET之基础篇 老梁头 2015年1月 简介 自从上世纪90年代，功率MOSFET技术取得 重大进步，极大地促进了电子工业的发展， 尤其是开关电源工业。 由于MOSFET比双极型晶体管具有更快的开 关速度，使用MOSFET时开关频率可以达到 几百KHz，甚至上MHz。使得开关电源的功 率密度越来越高，体积越来小。 MOSFET的类型 MOSFET 的主要两种类型为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。 增强型和耗尽型MOSFET都有N沟道和P沟道两种形式。 具体电路符号如图一所示 MOSFET的工作原理 对于N沟道增强型MOSFET，当栅源极间电压为零时，漏源极间电流为 零。它需要一个正的栅源极间电压（VGVS)来建立漏源极间电流。 对于P沟道增强型MOSFET，当栅源极间电压为零时，漏源极间电流为 零。它需要一个负的栅源极间电压（VGVS)来建立漏源极间电流。 对于N沟道耗尽型MOSFET，当栅源极间电压为零时，漏源极间电流最 大。它需要一个负的栅源极间电压（VGVS)来关断漏源极间电流。 对于P沟道耗尽型MOSFET，当栅源极间电压为零时，漏源极间电流最 大。它需要一个正的栅源极间电压（VGVS)来关断漏源极间电流。 耗尽型MOSFET一般不用做功率晶体管，也很少用在单管小电流电路 中，多用于对电路中重要器件的敏感输入端的接地保护电路中。而增强 型MOSFET多用