GB/T 1554-2009硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜１５５４ ２００９ 代替 ／ — ＧＢＴ１５５４ １９９５ 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 犜犲狊狋犻狀 犿犲狋犺狅犱犳狅狉犮狉狊狋犪犾犾狅狉犪犺犻犮 犲狉犳犲犮狋犻狅狀狅犳狊犻犾犻犮狅狀犫 犵 狔 犵 狆 狆 狔 狉犲犳犲狉犲狀狋犻犪犾犲狋犮犺狋犲犮犺狀犻狌犲狊 狆 狇 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜１５５４ ２００９ 前 言 　　 本标准代替 ／ — 《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》。 ＧＢＴ１５５４ １９９５ 　　 本标准与 ／ — 相比，主要有如下变化： ＧＢＴ１５５４ １９９５ ———增加了“本方法也适用于硅单晶片”； ———增加了“术语和定义”、“干扰因素”章； ———第 章最后一句将“用肉眼和金相显微镜进行观察”修改为“用目视法结合金相显微镜进行 ４ 观察”； ———将原标准中“表 四种常用化学抛光液配方”删除，对化学抛光液配比进行了修改，删除了乙酸 １ 配方；并将各种试剂和材料的含量修改为等级；增加了重量比分别为 和 ５０％ＣｒＯ １０％ＣｒＯ ３ ３ 标准溶液的配比；增加了晶体缺陷显示常用的腐蚀剂对比表；依据 ＳＥＭＩＭＦ１８０９０７０４增加 了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表； ———第 章将原 ／ — 中“（ ）面缺陷显示”中电阻率不小于 · 的试样腐 ９ ＧＢＴ１５５４ １９９５ １１１ ０．２ ｃｍ Ω 蚀时间改为了 ；“（ ）面缺陷显示”中电阻率不小于 · 的试样和电