SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究.pdfVIP

第 27卷 第 2期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 Vo1．27 No．2 2010年 4月 JOURNALOFATOMICAND MOLECULARPHYSICS Apr． 2010 doi：103969／j．issn．1000—0364．2010．02．033 SiP化合物结构和 电子特性的 第一性原理研究 潘孟美，钟小丽，曾 腾 (海南师范大学物理与 电子工程学院 ，海 口 571158) 摘 要 ：应用第一性原理方法研 究了SiP化合物的结构和 电子特性，并且将研 究推广到其他第四族元素磷 化物 (Iv_P)．在研究的各种结构中，SiP单斜 晶体结构是能量最低 、最稳定 的结构．SiP的体弹性模量 比CN 和CP化合物 以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小．SiP不 同的结构 问能发生相变 ，其单斜 晶体 结构 (monoclinic)在 压强为 6．2GPa，15．0GPa，19．3GPa，20．0GPa和 1O．3GPa时分别转 变成 GeP型 结构、Rhom．型结构、B—InS型结构、CsC1型结构和 NaCl型结构．能带计算结果显示 SiP单斜 晶体结构 (monoclinic)和 GaSe型结构是间接带隙分另q为 1．123eV和 0．123eV的半导体 ，SiP其他结构则显示 出金 属特性．其他化学比为 1：1的第四族元素磷化物 (Iv_P)具有相 同的性质． 关键词：SiP；体弹性模量；电子特性；能带；第一性原理 中图分类号：0562．1 文献标识码 ：A 文章编号：i000一O364(2O1O)O2一O377一O6 First—principlescalculationsonstructuralandelectronicpropertiesof variousstructuresofsiliconphosphide PAN Meng—Mei，ZHONG Xiao—Li，ZENG Teng (CollegeofPhysicsandElectronicEngineering，HainanNormalUniversity，HaiKou571158，China) Abstract：Thestructuralandelectronicpropertiesofvariousstructuresofsilicon phosphideaswellas othergroupIV phosphideswith1：1stoichiometryhavebeeninvestigatedusingfirst—principlescalcula— tions．ThemonoclinicstructureofSiPwasfoundtObemostenergeticallyfavored．Thebulkmodulusof SiP issmallercomparedwithCN，CPandgroupIIIphosphides．PhasetransitionwerefoundtObepossi— blefrom themonoclinicphaseofSiPtOtheGeP，Rhom．，fI-InS，CsC1andNaC1phasesunderpressure of6．2GPa，15．0GPa，19．3GPa，2O．0GPaand10．3GPa，respectively．Themonoclinicstructureand GaSestructureofSiPwerefoundtoshow semiconductingbehaviorwithinGGA withindirectbandgaps of1．123eV and0．123eV，respectively．BoththeGaSestructureandmonoclinicstructurewithfourfold coordinationgroup