光电二三极管检测方法.doc

3DU33硅光敏三极管 一、用途 光电自动控制、光电计数、光电传感器中作光电信号转换用 二、光电参数 名 称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 最高工作电压 VRM(CE) ICE=ID 20 30 V 暗电流 ID V= VRM (CE) ? 10 100 nA 光电流 IL VCE=10V E=1000LX ? 10 ? mA 上升时间 tr RL=50Ω,VCE=10V 脉冲电流幅度为1mA ? 5 ? μs 下降时间 tf ? 5 ? μs 峰值波长 λP ? 880 ? nm 封装形式 镀镍金属帽，玻璃球透镜。 三、极限参数 四、实物图 名 称 符号 参数 单位 最大功率 PM 70 mw 五、外形图 工作温度 TOP -30～+65 ℃ 偖存温度 Tstg -30～+80 ℃ 三极管价格：2元/PCS 产品参数：品牌:国产，型号:3DU33，应用范围:光敏，功率特性:中功率，频率特性:高频，极性:NPN型，结构:面接触型，材料:硅(Si)，封装形式:金属，封装材料:金属封装，营销方式:现货，产品性质:热销光电三极管/icview-184121-1-1.html一、定义：以接受光的信号而将其变换为电气信号为目的而制成之晶体管称为光电三极管,也叫光电三极管,英文名是Photo Transister。二、光电三极管的原理及作用：光电三极管一般在基极开放状态使用(外部导线有两条线的情形比较多)，而将电压施加至射极、集极之两个端子，以便将逆偏压施至集极接合部。在此状态下，光线入射于基极之表面时，受到反偏压之基极、集电极间即有光电流(Iλ)流过，发射极接地之晶体管的情形也一样，电流以晶体管之电流放大率(hfe)被放大而成为流至外部端子之光电流(Ic)，为便于了解起见，请参照图1所示。达林顿晶体管工作情况；电流再经过次段之晶体管的电流放大率被放大，其结果流至外部导线之光电流即为初段之基极、集极间所流过之光电流与初段及后段之晶体管的电流放大率三者之积。??（图1、光电三极管的等效电路）三、光电三极管的结构及外形：最普遍的外形如图2 所示。罐形封闭(Can seal)之光电三极管多半将半导体晶方装定在TO-18或TO-5封装引脚座后，利用附有玻璃之凸透镜及单纯之玻璃窗口之金属罩封闭成密不透气状态。罐封闭型(玻璃窗口)? ?? ?? ???罐封闭型(玻璃透镜)树脂封入型(平导线透型)? ?? ?? ? 树脂封入型(单端窗)图2 光电三极管的外形四、光电三极管的种类：由外观上如图2所示，可以区分为罐封闭型与树脂封入型，而各型又可分别分为附有透镜之型式及单纯附有窗口之型式。就半导体晶方言之，材料有硅(Si)与锗(Ge)，大部份为硅。在晶方构造方面，可分为普通晶体管型与达林顿晶体管型。再从用途加以分类时，可以分为以交换动作为目的之光电三极管与需要直线性之光电三极管，但光电三极管的主流为交换组件，需要直线性时，通常使用光二极管。五、光电三极管的选用：在实际选用光电三极管时，应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光电三极管；如要求响应时间快，对温度敏感性小，就不选用光电三极管而选用光电二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子，同时可考虑有基极引出线的光电三极管，通过偏置取得合适的工作点，提高光电流的放大系数。例如，探测10-3勒克斯的弱光，光电三极管的暗电流必须小于0.1nA。六、光电三极管判别：（1）、目测内部法：由于光电三极管通常采用透明树脂封装，所以管壳内的电极清晰可见：内部电极较宽较大的一个为集电极，而较窄且小的一个为发射极。（2）、测量法：a、若用指针式万用表R×1kΩ挡检测光电三极管时。黑表笔接集电极，红表笔接发射极，无光照时指针应接近∞，随着光照的增强电阻会逐渐变小，光线较强时其阻值可降到10kΩ以下。再将表笔对调，则无论有无光照指针均接近∞。? ? b、若采用数字式万用表，可将挡位开关置于R×20kΩ挡（或自动挡），红表笔接集电极，黑表笔接发射极，有光照时屏幕显示的压降值应在10kΩ以下，无光照时屏幕显示的数字应为溢出符号“OL”或“1”。（3）、观测法：金属壳封装的，金属下面有一个凸块，与凸块最近的那只脚为发射极e。如果该管仅有两只脚，那么剩下的那条脚则是光电三极管的集电极c；假若该管有三只脚，那么与e脚最近的则是基极b，离e脚远者则是集电极c。对环氧平头式、微型光电三极管的管脚识别方法是这样的：由于这两种管子的两只脚不一样，所以识别最容易——长脚为发射极e，短脚为集电极C 。 七、常用的型号：常见光电三极管有3DU0～7型、3DU11～51型