PNP型三极管.pptVIP

第5章 半导体器件;第5章 半导体器件;5.1 晶体二极管 ;１、半导体的特性：;在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。;（2） P型半导体;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，通常对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成为半导体器件。;半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。 在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。; 多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于低阻导通状态。;?. PN 结加反向电压（反向偏置）; 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。符号用VD表示。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，允許通过电流大，多用在低频整流、检波等电路中。;（1）正向特性（导通）;（1）最大整流电流IM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。 （3）最大反向工作电压URM：二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为UBR 的一半）。 （4）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。;电路如图，求：UAB;稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZIZM;２、发光二极管（LED）;6.1.7 半导体二极管的主要参数; ; 5.2 晶体三极管 ;NPN型;基区：最薄， 掺杂浓度最低;5.2.2 晶体三极管三个电极间的电流关系和电流放大作用;1. 各电极电流关系 ; 实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有IC 近似等于IE。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;2．输出特性曲线;5.2.4 三极管的主要参数;5.3 场效应晶体管（FET）;耗尽型;;耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型：UGS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。;增强型场效应管不存在原始导电沟道， UGS=0时场效应管不能导通，ID=0 。 UGS0时会产生垂直于衬底表面的电场。P型衬底与绝缘层的界面将感应出负电荷层，UGS增加，负电荷数量增多，积累的负电荷足够多时，两个N+区沟通，形成导电沟道，在一定的漏、源电压UDS下，漏、源极之; 按场效应管的工作情况可将漏极特性曲线分为两个区域。在虚线左边的区域内，漏、源电压UDS相对较小，漏极电流ID随UDS的增加而增加，输出电阻ro较小，且可以通过改变栅、源电压UGS的大小来改变输出电阻ro的阻值，这一区域称为非饱和区（可变电阻区）。在虚线右边的区域内，当栅、源电压UGS为常数时，漏极电流ID几乎不随漏、源电压UDS的变化而变化，输出电阻ro很大，UGD使沟道夹断，曲线趋于与横轴平行，在栅、源电压UGS增大时，漏极电流ID随UGS线性增大，这一区域称为饱和区（放大区）。;2、N沟道耗尽型场效应管的特性曲线;5.3.3 绝缘栅型场效应管的主要参数;晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier）