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Wg ? ? （2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 Y#z3la;o!Zs(h? J`$tD7kN:t ? ? （3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. b/{g#SJ jH0qr6NK? ? （4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。 ^)? j4-J-f o1d%hP ? ? 半值角的2倍为视角（或称半功率角）。lgRp4oN3J k5D-~6m%r F6el$? Z?@!`5E`Ws0@{g(g+[ hj 图3N8X!g*L0|GbY+wt9Q [:J(o2Q,y(Q5S ? ? 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。 LED的发光强度Iv与照度E之间如何进行换算？ 发光强度, LED, 换算 先了解以下照度的定义：照度是指照射在光接收面上一点处的面元上的光通量dφ，与该面元面积ds的比值，照度用勒克斯作单位，用符号lux表示，可表示为：E=dφ/ds(71-1) 显然在同等光通量下，照射面元的面积越大，照度越小，反之亦然。 如果知道了LED的光通量φ和需照射的面积，就可换算出照度E，如果知道了LED的发光强度Iv和射出角θ，则同样可换算出照射在面元面积为S的面上的照度。 例如：一个发射角为60°，光强Iv=1cd的LED，在向其法向距离为0.1M的平面上照射时，它的照度可以从下述步骤求得： 由上述Iv与φ的换算可以知道，发射角为60°，发光强度为1cd的LED光源的等效光通量φ=4π×（60°/360°）≈21m，而在照射到0.1M距离的面元时，该被照面元的面积S为： S=π（dtan30°）2≈3.14×(0.1×0.58) 2≈0.0105M 2 于是有：E=φ/S=21m/0.0105≈190lux。如果距离为1M时，则照射角上的照度仅为1.92lux。 从上面这些参数之间的互换来看，均是有条件的，比较与使 可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。 可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。 可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E，又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基极电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2 倍的集电极电流IC2 。因为BG2集电极与BG1基极相连，IC2又是BG1 的基极电流Ib1 。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2 ，而是经过