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TVS 选用原则 TVS 作性照以下的原 TVS 器件： 1 、反向 VR ） TVS 的接入而影响常工作。注意，在交流 1.4 倍取其峰 2 、反向 VB ）不小于 TVS 进入击穿状态。将使的漏 3 、最大箝位 VC ）必件。 4 、最大峰 PM ）必 电路设计者最好对可能出现的意外的电脉冲的性质有所了解。比如，脉冲的来源，脉冲的波形，脉冲的幅度和时间等。 概述 佰子系部，常源的 TVS （ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR ）即是速由原来的高阻抗“吸收”掉意外 TVS 所能承受的瞬瞬 10-12 秒。作保 TVS 与早先的气体放 MOV ）相比快、承能力高、使用寿命“磨”问题），以及体积小、无噪声、价格低等等。目前， TVS 已广泛用子 TVS 的系提高了安全性和可靠性。 TVS 提供的向两 TVS 的正向特性与一般二极管无异，反向特性呈典型的雪崩型；双向 TVS 当承受一个高能量的瞬 TVS 立即从“吸收”掉。其响 10-12 秒。而箝位因子 * 1.2~1.4 。 所 Cf=Vc/VB 表示。它的意于，控，被箝制到安全的水平， MOV 的箝位因子要大得多，比如 180VMOV 的Cf=2.65 ，即箝位 430V ， MOV 是不适用的。 主要参数含 ★反向 VB ） 直流 IT 条件下， ★测试电流（ IT ） 在此点 ★反 IR ） IR 的反向 85% 。 ★最大反向漏 IR ） VR 的所允 ★最大箝位 Vc ） 在 tr/tp=10/10000us 内，承受最大峰 Ipp 时，加在器件上的最大电压值。 ★最大峰 Ipp ） 在 tr/tp=10/1000us 内，器件所允 ★额定脉冲功率和标准脉冲曲线 主要参数 Vc 、 Ipp 反映了 TVS 器件的浪涌抑制能力。当 TVS 承受 Ipp 时，可能在器件上的瞬最大 Vc ， 如果脉冲 TVS 的最大峰 PM=Vc?Ipp 规定的标准脉冲波形如图 2 所示。 EXP 波，脉冲的 tr/tr=10/10000ustr 是脉冲零上升至峰 Ipp 的 tp 为脉冲电流自峰值下降至 1/2Ipp 时所需的时间表。 TVS 承受 Ipp 时，在双踪 G 示波器上，用特殊取 3 所示。明，当瞬 TVS 被指数下降和逐 显然，在标准脉冲波形下，一旦 Pm 确定那 Vc 愈低， Ipp 就愈大；反之亦然。 在脉冲冲重 对于不同的脉冲波形，额定最大峰值脉冲功率应由式： Pm=K ? Vc ? Ipp 决定，其中 K 称之 4 ， K 值。显然，波形类型对最大峰值脉冲功率有效大影响。因此，对电子系统中可能出现的电脉冲的波形型， 脉冲准脉冲 tr/tp=10/1000us 条件下的 Ims ） 5 显示了 TVS500W ? 1500W 两 PM 随脉冲 最大峰 6 所示。降。当接近 175 50% 左右。同数 VB 的温度系数， 此外， TVS 一般适用于 0.01% 。如大于 应用范围及举例 1 、 一般 TVS 在 TVS 通常是并脉冲功率，或提高反向 TVS 和二极管并一致性好，此外，两支型号，参数相同（ TVS 还可以背对背相接，作为双向 TVS 应用。 2 、 保 在典型的甚至使其元器件 TVS 保路 3 、 保 集成 ESD ）、极反接或源： 4 、 保 可控硅（ SCR ）的触精确控制， TVS 对可控硅的保护措施。 5 、 保 MOSFET ） 通常引起 MOSFET 失效的主要原因，是漏极一源极 VDS 过高，电感负载的通断即可使得 MOSFET 的 VDS 超向 MOSFET 必 6 、 保 　　当晶体管外，点通断保 TVS 保法。 7 、 保 在微机系 ESD ），交流旁的干必部份，使用小功率的表面安装型的 TVS 来坏，也 TVS 防雷。 17 、 18 表明的是 TVS 用作微机数据 8 、 保 这里介绍一种将 TVS 和 MOV MOV 和 TVS 利用 MOV 的承 TVS 的快速响 19 所示。 9 、 保 这里介绍的方法是将 TVS 和 MOV 气体放 GAS TUBE ） G TUBE 的有的能力、很低的 GAS TUBE 、 MOV 和 TVS 可靠， 20 所示 10 、 雷 ISDN ， FAX ，特在 TVS 接入系 结束语 电子产品的安全性和可靠性，是所有生产厂商和拥户共同追求的目标。现代电子产品必须有相应的电保护措施，才能算是完善的阻，由于性能上的缺陷，。新型的固体 TVS 是目前理想的 TVS 作通采用，包括国内外的