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MOSFET生产的注意事项 Report by ：woody 2010-6-5 Die Bond Die Bond Die Bond Wire Bond MOSFET静电防护 1.前工序重点提示： 贴膜时必须在离子风扇下进行；作业时人员必须戴静电环 D/B时必须在离子风扇下进行；作业人员在接触产品是必须戴静电环。 QC检验时必须戴静电环。 所有作业台面必须接地。 人员的着装，参照着装规范 。 后工序测试： 设备必须接地，TUBE必须是防静电的。 人员不可以在没有静电保护措施下，直接接触产品。 工作的台面必须是防静电的。包装的袋子或者是TUBE必须是防静电的。 人员的着装，参照着装规范 * * 1). Die attach _ solder coverage 1.锡厚：≤2/3H 2.焊料需四面包边，焊料覆盖芯片底面100% 3.焊料不可益处太多，所以需要选择合适的压模块 2). Die attach _ pin mark 空洞 （void） Lead Frame DIE 焊料（solder） H 背后顶针印 Back side 好的芯片 1.芯片的大小与顶 针数目和角度的选 择‘吸晶高度的设 定等有直接的联系。 2.每次调机需检验 顶针的痕迹 3). Die attach solder void ( SemiHow requirement ; Single biggest void_ Max. 1% Total void_ Max. 5% ) 1.可以预防空洞的方法：提高芯片的焊接温度，延长焊接的时间，降低焊接后的降温速度， 可以尽量的减少空洞的含量。 4). Die share test 推力检验推力器与晶粒要近似90° 1). Wire bond damage ; Source- Gate short 通产在封装发生的 G-S short不良往往是 因为Wire bond US POWER 条件太强,使 Source周边的 Gate层破坏，而引起的不良.. 2). 由Bond Force Damage产生的 Source- Gate short 1.Wire bond ，首件，更换品种必须做弹坑的确认。 Wire Bond Source Wire bond 底部有无数的 Gate电极.. 其中若有一个Gate 因Bond Force损伤也会造成 G-S间 Short.. SEM 或者 Aluminum Remove后 用 Micro-Scope确认 (Chip crater确认- bond damage) 非常微小的损伤不必观察。 Source_ wire bond area Wire Bond 1.因为MOS管是场效应管，所以电流必须要平均分配，所以打线的时候不能打在一边， 打在一边在大电流的时候会引起电流分配不均，造成EOS。一条线必须打在正中，两条 线最好在上下两片区域的中间。 2.压焊点的形状要好，两边溢出的耳朵要对等，或者没有。 3.BPT 测试OK 耳朵 Molding 1). Mold 树脂气密性 Mold树脂的气密性： 1.与塑封料的回温时间与环 境有关，树脂回温的时候， 回温时间一定要达到标准， 回温时树脂必须是密封的。 2.必须在有效期内使用完树 脂。 3.注塑时间需适当的放长以 减少气孔的产生。 4.烘烤时烤箱内不能放的太满 影响空气流动，从而使产品 达不到固化的要求。 *