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模拟电子线路.半导体物理基础知识.ppt
半导体:导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 1.1 半导体物理基础知识 硅 ( Si ) 、锗 ( Ge ) 原子结构及简化模型: +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 1. 导体:电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 2. 绝缘体:电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 硅和锗共价键结构示意图: 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 共价键具有很强的结合力。 当T=0K(无外界影响)时,共价键中无自由移动的电子,半导体不导电,如同绝缘体。 共价键 价电子 本征激发 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 若 T ?或受到光线照射时,将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子,在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力,但很微弱。 空穴可看成带正电的载流 当T升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 这种现象称 注意:空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 本征激发。 当原子中的价电子激发为自由电子时,原子中留下空位,同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动,该运动可等效地看作是空穴的运动。 空穴的运动 注意:空穴运动方向与价电子填补方向相反。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空 穴 — 带正电 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现,称为 电子 - 空穴对。 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示,显然 ni = pi 。 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动会达到平衡,载流子的浓度就一定了。 温度一定时: 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 热平衡载流子浓度 热平衡载流子浓度: 本征半导体中 本征激发——产生自由电子空穴对。 电子和空穴相遇释放能量——复合。 A是常数(硅:3.88×1016cm-3K-3/2,锗: 1.76×1016cm-3K-3/2 ) K是玻尔兹曼常数(8.63×10-5eV/K =1.38×10-23J/K) Eg0是T=0K时的禁带宽度(硅:1.21eV,锗:0.785eV) T 导电能力 ni 或光照 热敏特性 光敏特性 室温(T=300K)时,硅的ni≈1.5×1010cm-3,锗的ni≈2.4×1010cm-3,硅的原子密度为4.96×1022cm-3,故ni仅为它的三万亿分之一,故本征半导体的导电能力是很低的。 1.1.2 杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷、锑、砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 N型半导体: +4 +4 +5 +4 +4 简化模型: N型半导体 多子——自由电子 少子——空穴 自由电子 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 施主杂质 二、 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如硼、镓、铟、铝等,即构成 P 型半导体。 +3 3 价杂质原子称为受主杂质。 受主杂质 空穴 P型半导体 +4 +4 +3 +4 +4 简化模型: P型半导体 少子——自由电子 多子——空穴 空 穴 本征半导体中掺入少量三价元素构成。 说明: 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度;温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体,因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 杂质半导体的的简化表示法 杂质半导体中载流浓度计算 N型半导体 (质量作用定理) (电中性方程) P型半导体 杂质半导体呈电中性 少子浓度取决于温度。 多子浓度取决于掺杂浓度。 1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散 载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动,所形成的电流称漂移电流。 漂移电流密度 总漂移电流密度: 迁移率 漂移与漂移电流 电导率: 半导体的电导率 电阻: 电压: V = E l 电流: I = S Jt
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