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* * 二 半导体二极管 2012.12.03 单元五 常用半导体元件及应用 U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 硅0.7V 锗0.3V 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1.二极管的工作特性： 非线性 2.普通二极管主要参数 1）最大整流电流 IOM 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2）反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半或三分之二。点接触型D 管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。 3）反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 二极管的应用: 整流、检波、限幅、保护等 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例：二极管半波整流 分析依据: 二极管的单向导电性 假定为理想二极管 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例：二极管半波整流 非理想二极管？（硅管） 正向管压降 硅0.6-0.7V 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 伏安特性 稳压管进入稳压工作状态时，工作于反向击穿区！ 使用时要加限流电阻 稳压原理： 稳压管反向击穿以后，电流变化很大，但其两端电压变化很小。 U I O 二极管应用举例：稳压二极管 曲线越陡电压越稳 特殊的二极管 反向击穿时，稳压管并不一定损坏！
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