模拟电子教学手记.docVIP

《模拟电子技术》教学指导 　必修的专业基础课，该课程不仅具有自身的理论体系且是一门实践性很强的课程1章 常用半导体器件 【本章教学目的和要求】 基本要求：了解半导体的基础知识，通过讲述管子的内部结构和载流子的运动，使学生更好地理解管子的外部特性，了解选用器件的原则。掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理、特性曲线和主要参数。 重点：从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。 难点：半导体二极管、三极管及场效应管的工作原理。 【教学内容】 1.1 半导体基础知识 一、导体、绝缘体和半导体 ⒈ 导体：铜、铁、铝等具有良好导电能力的物质。 主要特点：原子核最外层有可以自由移动的自由电子。 ⒉ 绝缘体: 没有导电能力的物质。如：纸、木材等。 ⒊ 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。典型的半导体材料有硅和锗。 主要特点：原子核最外层有四个价电子，原子核对其束缚力较强，常温下不能自 由移动。 二、本征半导体及其导电性 本征半导体是指完全纯净的具有晶体结构的半导体。本征半导体在环境温度升高或受到光照时产生本征激发，形成自由电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。自由电子和空穴都能导电，称为载流子。本征激发产生的自由电子和空穴成对出现，数量相等，数量的多少取决于环境温度的高低，所以半导体的导电性能极易受外界因素的影响。 三、 杂质半导体 ⒈ N型半导体： 在硅（锗）中掺入 5 价元素（磷、砷等）。自由电子为多数载流子，而空穴为少数载流子，主要靠自由电子导电。 ⒉ P型半导体：在硅（锗）中掺入 3 价元素（硼、铟等）。空穴为多数载流子，而自由电子为少数载流子，主要靠空穴导电。 注意：N型半导体和P型半导体对外均不显电性。 四、 PN结 1. PN结的形成 P型半导体和N型半导体接触后，存在电子与空穴的浓度差，多数载流子扩散逐渐加宽空间电荷层，形成逐渐增强并阻碍多子扩散、阻碍空间电荷层加宽的内电场。二者最终达到动态平衡，空间电荷层相对稳定。 ⒉ PN结的特性：PN具有单向导电性。 ⒊ PN结方程及伏安特性曲线 PN结方程： 其中，为反向饱和电流，为温度电压当量。 伏安特性曲线为：为反向击穿电压。 1.2 半导体二极管 一、 二极管的结构和类型 将一个PN结加上电极引线、管壳密封即制成一个二极管。 类型：分为点接触型和面接触型两种。前者工作频率高、电流小；后者工作频率低、电流较大。 二、 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指二极管两端的电压与通过二极管的电流之间的关系曲线。 （1）2）反向特性：二极管外加反向电压时，产生很小的反向电流，反向电流的大小易受外界因素的影响。当反向电压大于某一数值后，二极管被反向击穿，易损坏。 三 、二极管的主要参数 二极管的主要参数有：最大整流电流、最高反向工作电压、最大反向电流、最高工作频率。 二极管可应用于整流、检波、钳位、限幅、开关以及元件保护等各种电路。 四 、稳压二极管 稳压二极管是一种用特殊工艺制成的面接触型硅二极管，杂质浓度较大，空间电荷区密度大，容易形成强电场。它与一般二极管的区别是：其反向击穿可逆。 1. 稳压二极管的稳压性能：在反向击穿状态下，流过管子的电流在一定范围内变化时， 管子两端的电压变化很小，利用这一特性可实现稳压。故稳压二极管的正常工作状态是反向击穿状态。 ⒉ 稳压二极管的主要参数有：稳定电压、稳定电流、额定功耗、动态电阻等。稳压二极管主要应用于稳压电源和限幅电路中。 1.3 双极型晶体管 一、 晶体管的结构和类型 晶体管有发射极e、基极b、集电极c三个电极，发射结和集电结两个结，发射区、集电区、基区三个区。 按结构不同，分NPN型和PNP型两种类型。 按材料不同，可分为锗管和硅管两大类。锗管多为NPN型，锗管多为PNP型。 按工作频率，可分为高频管和低频管。 按功率，可分为大功率管，小功率管和中功率管。 二、 晶体管电流放大作用 晶体管电流放大作用是指以较小的基极电流控制获得较大的集电极电流。 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 内部载流子的传输过程：发射区向基区发射载流子；集电区收集载流子；基区传送和控制载流子的扩散与复合。 三、 晶体管的共射特性曲线 1. 输入特性曲线 输入特性曲线是指晶体管的集、射极间电压一定时，基极电流与基、射极间电压之间的关系曲线。一般硅管死区电压约为0.5V，锗管为0.2V；正常导通后，硅管的约为0.7V，锗管约为0.3V。 2. 输出特性曲线 三极管的输出特性是一族曲线。应掌握以下几点： 放大区：发射结正偏，集电结反偏。具有恒流特性，即近似为常数。 截止区：的区域。此时，发射结和集电结均反偏，无放大能力