电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究.pdfVIP

维普资讯 第30卷 第3期 电 子 器 件 v01．30 No．3 2007年 6月 ChineseJournalOfElectronDevices Jun．2007 LaB6ThinFilmsPreparedbyElectronBeam EvaporationandItsProperty SHIQing— ，LINZu—lun，LIJian-jun。CHENZe-xiang (SchoolofOptic-ElectronicInformation，UniversityofElectronicSci~ceandTechnologyofChina， G 棚 gd“610054，hC ina ) Abstract：LaB thinfilmsweredepositedonTasubstratesbyelectronbeam evaporationtechniqu己 111esu morphologyandcompositionofthefilms werecharacterizedbyscanningelectronmicroscopenadX-rayph0toelec- tronspectrometer．Theworkrun．ionsofthefilmsweremeasurde bythermalelcetronbearnmethod Theresults indicatde thatthefilms preparde bytheelcetronbeam evaporationmethodhadlittlen0nstoichiome硒cnlixture．of atoms nadgoodsurfacestatus．Themaesurementoftheworkfunctionis2 ． 59eV，naditsh0、^anexcenentemis— sioncharacter． Keywords： B6thinfilms；electronbeam evaporation；thermalelectronbeam method；workfunetion EEACC：O52OF 电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究 时晴暄，林祖伦，李建军，陈泽祥 (电子科技大学光电信息学院，四川 610054) 摘 要：用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了I 薄膜，用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学 组分进行了分析．采用真空热电子发射法测出了I 薄膜的逸出功．结果表明，电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较 小、表面状况较好的LaBB薄膜，其逸出功为2．59eV，具有良好的电子发射性能． 关键词：LaBB薄膜；电子束蒸发；真空热电子发射法；逸出功 中图分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：l0o5-949o(2Oo7)O3_o745 LaB6由于其优良的电子发射特性，及特殊的物 空热蒸发法制备的薄膜有纯度高、致密和均匀性好 理、化学性能，被公认为是种理想的阴极发射材料 ． 的优点，且工艺容易控制，因此是种较为理想与实用 它具有熔点高、导电性好、功函数低、化学活性低、热 的制备方法． 稳定性高、对发射环境要求低[1]等特性，目前广泛应 本文采用电子束蒸发的方法制备了LaB6薄 用于要求较高的大电流、长寿命阴极中，如扫描电 膜，并对其表面形貌、化学组分等进行了研究．同时 镜、电子束曝光机、俄歇谱仪以及电子探针等仪器设 对 LaB6薄膜的逸出功进行了测量，为其应用于电 备之中，在民用和国防工业的众多领域里显现出良 子源器件提供了一定