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高科技产品研发 product rd 纳米氧化锌薄膜的特性及研究进展 陈雪娇 （鞍山宁远工业经济管理委员会，辽宁鞍山 114013） 摘 要 纳米氧化锌薄膜是一种新型的宽禁带直接带隙半导体材料，激子结合能较高，具有很高的热稳定性和较好的 化学稳定性，晶格和光电性能优异，在各类电子和短波光学器件方面应用广泛，因此成为了国内外的研究热点。文章 重在阐述其发光特性和研究现状，并展望其发展前景。 关键词 纳米ZnO薄膜；特性；进展 中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2014）13-0008-02 纯 ZnO 及其掺杂薄膜具有优异的晶格和光电性能 ，易于产 红光与富氧的ZnO 结构 [6] 或沉积过程中形成的自然缺陷相关。 生缺陷和进行杂质掺杂 ，并且具有价格低、无毒性、良好的机 文献 [7] 是利用全势线性多重轨道的方法计算 ZnO 本征缺 电耦合性能 ，低的电子诱生缺陷等优势 ，使其在光电元器件领 陷能级水平 ，这对发光机理的研究起到了推动性作用。 域得到广泛开发和应用。 3 ZnO 薄膜的研究现状及展望 1 薄膜的特性 ZnO 以其优异的性能 （主要是低阈值高效光电特性、强烈 ZnO 晶体为 II-VI 族六方纤锌矿结构宽禁带半导体材料 ， 的紫外吸收和紫外激光发射、量子限域效应、光催化和压电等 室温下禁带宽度约为 3.37eV，ZnO 的另一个特点是激子结合能 性能）在半导体氧化物中独 占鳌头 ，ZnO 薄膜以其原料廉价易 （60meV）高 ，能有效地工作于室温及更高温度。ZnO 的熔点为 得 ，生长温度相对低 ，成膜质量高 ，较易实现掺杂 ，成为了应 1975℃，化学稳定性和热稳定性较高 ，500℃以下就可以制备出 用广泛的透明导电薄膜。自1997 年发现 ZnO 薄膜具有紫外受激 ZnO 薄膜 ，这比SiC、GaN 和其他 II-VI 族宽禁带半导体材料的 发射的特性以来 ，此后在室温下观测到具有纳米结构的微晶薄 制备温度要低很多。这使 ZnO 成为室温短波长光电子材料的研 膜光泵激光发射 ，因其激子结合能 （60meV）比同是宽禁带材料 究热点。本征态的 ZnO 理论上是绝缘体 ，但事实上由于 ZnO 中 的 ZnSe （20meV）、GaN （28meV）高出许多 ，能有效工作于室温 锌间隙和氧空位的存在 ，为 n 型半导体。优质的 ZnO 薄膜具有 （26mev）及更高温度 ，且制备温度比GaN 和其他 II-VI 族半导 c 轴择优取向生长。ZnO 薄膜在可见光区透过率高达 90%，电阻 体宽禁带材料的制备温度低很多 ，使得薄膜与衬底原子的互扩 率低至 10-4 Ω·cm，是一种理想的透明导电薄膜。 散得到了大大降低。ZnO 成为继 GaN 之后新的短波长半导体材 2 薄膜的发光机理 料的研究热点。ZnO 薄膜在可见光范围内透过率高达 90%，可以 应用于优质的太阳能电池透明电极。在紫外和红外光谱范围内 2.1 紫外光的发射 具有强烈的吸收作用 ，可做为相应光谱区的阻挡层。目前 ZnO 一般认为 ZnO 的紫外发射与带边激子对的复合有关 ，其发 薄膜在表面声波器件和压电传感器领域已投入应用 ，随电阻率 射强度由化学配比、晶格完整性和结晶质量决定 ，结晶质量越 变化的气敏元件正在研发中 ，但从实验室研究向大生产转化还 好的ZnO 薄膜紫外发射强度越高。 需时日。 2.2 绿光的发射 3.1 掺杂和PN结的制作 ZnO 薄膜的蓝 - 绿发光一直是人们研究的热点。不同于紫