第7章半导体存储器wax-11.pptVIP

东北大学信息学院 第7章 半导体存储器 半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。主要用于计算机的存储器。 第7章 半导体存储器 7.1 概 述 ⒈ 半导体存储器的特点及分类 (1) 按制造工艺不同:可把存储器分成TTL型和MOS型存储器两大类。 TTL型速度快，常用作计算机的高速缓冲存储器。 MOS型具有工艺简单、集成度高、功耗低、成本低等特点，常用作计算机的大容量内存储器。 7.1 概 述 (3) 从存、取功能上可以分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）两大类。 只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。 随机存储器在正常工作状态下就可以随时快速地向存储器里写入数据或从中读出数据。 7.1 概 述 ⒉半导体存储器的技术指标 存取容量：表示存储器存放二进制信息的多少。二值信息以字的形式出现。一个字包含若干位。一个字的位数称做字长。 存储容量的表示：存储单元个数的总和，字数乘以位数。 选中哪些存储单元，由地址译码器的输出来决定。即由地址码来决定。地址码的位数n与字数之间存在2n=字数的关系。如果某存储器有10个地址输入端，那它就能存储210=1024个字。 7.1 概 述 ⒉半导体存储器的技术指标 存取周期：存储器的性能取决于存储器的存取速率。存储器的存取速度用存取周期或读写周期来表征。把连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 7.1 概 述 3 常用存储器型号： SRAM: 2114(1K*4), 6264(8K*8) DRAM: 2164(64K*1) EPROM: 2716(2K*8), 2732(4K*8), 27128(16K*8), 27256(32K*8) EEPROM: 2816A(2K*8), 28C64(8K*8) 7.2 只读存储器（ROM) ROM：是存储固定信息的存储器，使用时只能读出所存的信息而不能写入数据。 通常用其存放固定的数据和程序，如计算机系统的引导程序、监控程序、用户控制程序、固化数据。 只读存储器为非易失性存储器(nonvolatile memory)，去掉电源，所存信息不会丢失。 7.2 只读存储器 ROM可分为: 掩膜只读存储器（Mask Read Only Memory, MROM） 可编程只读存储器(Programmable Read Only Memory，PROM) 紫外线可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)， 电擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）， Flash存储器(也称快闪存储器)。 7.2.1掩模只读存储器 掩模只读存储器是采用掩模工艺制作的，其中的存储内容是已经由制造商按照用户的要求进行了专门设计。因此，掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经固化好了。掩模ROM的存储数据可永久保存，在批量生产时成本最低。适用于存放固定不变的程序或数据。 7.2.1 掩模只读存储器 图7-2是一个4×4位的NMOS掩模ROM。 地址译码器：有两根地址输入线A1和A0，共有4个地址信号，每个地址存放一个4位二进制信息； 译码器输出线：W0、W1、W2、W3称为字线，由输入的地址代码A1A0确定选中哪条字线。被选中的数据经过输出缓冲器输出。 每根字线和位线的交叉处是一个存储单元，共有16个单元。交叉处有NMOS管的存储单元存储“1”，无NMOS管的存储单元存储“0”。 例如，当地址A1A0=00时，则W0=1（W1、W2、W3均为0），此时选中0号地址使第一行的两个NMOS管导通，D2=0, D0=0, D3=D1=1， 位线与字线之间逻辑关系为： D0=W0+W 1+W 3 D1=W1+W3 D2=W0+W2+W3 D3=W1+W3 存储矩阵的输出和输入是或的关系，这种存储矩阵是或矩阵。地址译码器的输出和输入是与的关系，因此ROM是一个多输入变量（地址）和多输出变量（数据）的与或逻辑阵列。 地址译码器输出线为高电平有效，32根字线分别接32行的多发射极晶体管的基极，地址译码受片选信号控制，当CS=0时，选中该芯片能够工作，输入地址有效，译码输出线中某一根为高电平，选中一个地址。当CS= 1时，译码输出全部为低电平，此片存储单元不工作。 读写控制电路供读出和写入之用。 在写入时，VCC接+12V电源，某位写入1时，该数据线为1，写入回路中的稳压管DW击穿，T2导通，选中单元的熔断丝通过足够大的电流而烧断；若输入数